阿摩線上測驗
20 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷
(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷
(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs（閘極到源極之寄生電容）> Cgd（閘極到汲極之寄生電容）
(D) NMOSFET 源極（source）對基板（substrate）之電壓提高，臨界電壓（threshold voltage）降低
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統計： A(31), B(12), C(23), D(65), E(0) #845952
統計： A(31), B(12), C(23), D(65), E(0) #845952
詳解 (共 4 筆)
u9952003
#1225974
(c) 截止區 閘極電容Cgs=0 , Cgd=0
主動區 Cgs=Cgd
飽和區 Cgs > Cgd(=0)
4
0
u9952003
#1225949
空乏區內不是只有離子存在 沒有電荷????
3
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