試題詳解

20 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷
(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷
(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs（閘極到源極之寄生電容）> Cgd（閘極到汲極之寄生電容）
(D) NMOSFET 源極（source）對基板（substrate）之電壓提高，臨界電壓（threshold voltage）降低