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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22123
> 試題詳解
21 在雙極性接面電晶體(BJT)共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc進入基極,該電容 Cc之主 要功能為何?
(A)使電壓增益變大
(B)使電流增益變大
(C)隔離雜訊
(D)隔離直流
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統計:
A(18), B(8), C(21), D(223), E(0) #842110
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/10
私人筆記#7626559
未解鎖
✅ 解題解析:共射極放大器中的耦合電容...
(共 341 字,隱藏中)
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32. 在雙極性接面電晶體 BJT 共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容 CC進入基極,該 電容 CC之主要功能為何? (A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流
#1904484
32. 在雙極性接面電晶體 BJT 共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容 CC進入基極,該電容CC之主要功能為何? (A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流
#2499945
22 圖示電路中場效電晶體 FET 之 VT = -0.5 V、μpCox(W/L) = 2 mA/V2 ,欲此電晶體工作在飽和區(Saturation Region),電壓 vG應如何? (A)0.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V (B)1.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V (C)0.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V (D)1.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V
#842111
23 如圖電路對於小訊號電壓增益,下列敘述何者錯誤? (A)RC過大增益可能減低 (B)若電晶體操作於主動區,增加 RE則增益增加 (C)若電晶體操作於飽和區,增加 RB可使電晶體進入順向主動(forward active)區 (D)若電晶體操作於飽和區,增加 RE可使電晶體進入順向主動(forward active)區 .
#842112
24 分析下圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗 ro =10 kΩ,Rb =10 kΩ, RD =10 kΩ,RS =1 kΩ,試求 Vo /Vi約為多少? (A)-10/3 (B)-5 (C)-20/3 (D)-25/3
#842113
25 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源(CS)放大器,該 MOSFET 之臨界 電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS =1.5 V 時,其 ID = 1 mA,則當 VGS增為 2.5 V 時,其 ID為: (A)仍為 1 mA (B)增為 2 mA (C)增為 3 mA (D)增為 4 mA
#842114
26 關於理想轉導放大器(Transconductance Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)放大器本身之輸入阻抗為 0 (B)放大器本身之輸出阻抗為無限大 (C)放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同 (D)其增益單位為歐姆(Ω)
#842115
27 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓 VT =1 V、μnCox(W/L) = 100 μA/V2 ,電壓 VD = 0.2 V,則電阻 RD 約為若干 kΩ? (A)34 (B)54 (C)74 (D)94
#842116
28 如圖為一共汲(CD)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro→∞, 則此放大器的輸入電阻 Ri為何? (A)RS (B)1/ gm + RS (C)∞ (D)0
#842117
29 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),對於小訊號電壓增益,下列敘述何者無 法降低放大器之低頻 3 dB 頻率ωL? (A)增加 RS (B)增加 RB (C)增加 RC (D)增加 C 值
#842118
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