23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2 ，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為 I 2 Dn = Kn(VGSN – VTN) ，則偏壓電流IQ之大小最接近那一個數值？ (A) 0.1 mA (B) 0.2 mA (C) 0.3 mA (D) 0.4 mA

23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2 ，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為 I 2 Dn = Kn(VGSN – VTN) ，則偏壓電流IQ之大小最接近那一個數值？
(A) 0.1 mA
(B) 0.2 mA
(C) 0.3 mA
(D) 0.4 mA

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統計： A(3), B(4), C(6), D(11), E(0) #1241308

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李德

B1 · 2016/04/29

#1326953

[10-Vgs-(-10)]/40k=0.25(Vgs-Vt)^2

私人筆記 (共 1 筆)

Alice

2025/12/30

私人筆記#7687984

未解鎖

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19 欲對一 MOSFET 放大器電路之電壓增益作頻率響應之分析，若此電路中同時含有旁路電容（bypass capacitor）及耦合電容（coupling capacitor），則此電路在分析時，對於電路中各種電容狀態之設定，下列何項最為正確？ (A)進行低頻帶（low frequency）分析時，MOSFET 電晶體內部電容短路 (B)進行中頻帶（midband frequency）分析時，旁路電容開路、耦合電容短路 (C)進行高頻帶（high frequency）分析時，旁路電容短路、耦合電容短路 (D)無論頻率高低，一律設定旁路電容開路、耦合電容短路

23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2 ，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為 I 2 Dn = Kn(VGSN – VTN) ，則偏壓電流IQ之大小最接近那一個數值？ (A) 0.1 mA (B) 0.2 mA (C) 0.3 mA (D) 0.4 mA

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23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2 ，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為 I 2 Dn = Kn(VGSN – VTN) ，則偏壓電流IQ之大小最接近那一個數值？
(A) 0.1 mA
(B) 0.2 mA
(C) 0.3 mA
(D) 0.4 mA