24如圖所示 MOSFET 電路,電晶體 M 是增強型(enhancement type)n 通道 MOSFET。已知 VDD = 3 V、 |Vtn|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V2、ID = 0.08 mA、忽略輸出電阻 ro,則此電晶體 工作的區域為:
(A)崩潰區(breakdown region)
(B)三極區(triode region)
(C)截止區(cut-off region)
(D)飽和區(saturation region)

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統計: A(3), B(14), C(13), D(150), E(0) #1044783

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#3664536
增強型NMOS的Vtn >0 =&...
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私人筆記#7608291
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