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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#45963
> 試題詳解
24 下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET?
(A)汲極回授偏壓
(B)自給偏壓
(C)分壓偏壓
(D)固定偏壓
答案:
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統計:
A(40), B(12), C(3), D(5), E(0) #1201285
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/31
私人筆記#7691235
未解鎖
空乏型 MOSFET 偏壓方式解析 ...
(共 225 字,隱藏中)
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其他試題
20 圖為含射極電阻RE的差動放大器(Differential Amplifier)。其中RC1=RC2=8kΩ,RE=100Ω,IB1=IB2 =0.5mA,電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電壓增益約為: (A) 80 (B) 75 (C) 60 (D) 40
#1201281
21 共射極(CE)電晶體放大電路中,RE為射極端外接電阻,hie為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值 : (A)接近RE (B)遠大於RE (C)接近hie (D)遠小於hie
#1201282
22 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β (=Ic/Ib)為 210,以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的電壓增益AV (=Vo/Vi)約為多少? (A) -100 (B)-200 (C)-300 (D)-400
#1201283
23 P-通道增強型(Enhancement Type)MOSFET通道導通的條件是(VTH:臨限電壓): (A) VGS=0 (B)VGS > VTH (C)VGS < VTH (D)VGS >0
#1201284
25 如圖所示為一個交流等效電路,其輸入阻抗(Zin=Vi/Ib)為: (A)rπ+RE (B)rπ (C)rπ((1+β)RE) (D)rπ+(1+β)RE
#1201286
26 如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為 12V 之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為:(A) 12V (B) 11.3V (C) 10.6V (D) 9.2V (E)一律給分
#1201287
27 在室溫下,加熱一矽半導體,若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大,則可推測該矽半 導體最可能是: (A)n+型半導體 (B)p+型半導體 (C)純矽半導體 (D)無從推測
#1201288
28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中,若有電子流流向正 X 方向,霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼 方向? (A)正 Y (B)負 Y (C)正 Z (D)負 Z
#1201289
29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -Transistor Logic)快的原因是因為蕭特基電晶體: (A)沒有 RC 延遲因素 (B)不會進入深飽和區 (C)載體移動率較快 (D)載體以穿透效應傳輸
#1201290
30 將硼元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體? (A)N型 (B)P型 (C)空乏型 (D)增強型
#1201291