25 對一個增強型的NMOSFET，當其工作在夾止飽和區時，電流為iD = K (VGS – Vt) 2 (1 + λVDS)，請問下 列敘述何者錯誤？
(A)Vt> 0
(B)VGS> Vt
(C)λ描述通道調變效應
(D)K和  成正比

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統計： A(3), B(3), C(8), D(91), E(0) #732087

詳解 (共 1 筆)

#1478358

長度越長 電阻越大 K越小

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