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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 初等考試_電子工程:電子學大意#19362
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試題詳解
試卷:
98年 - 98 初等考試_電子工程:電子學大意#19362 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
98年 - 98 初等考試_電子工程:電子學大意#19362
年份:
98年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
25 對一個增強型的NMOSFET,當其工作在夾止飽和區時,電流為i
D
= K (V
GS
– V
t
)
2
(1 + λV
DS
),請問下 列敘述何者錯誤?
(A)V
t
> 0
(B)V
GS
> V
t
(C)λ描述通道調變效應
(D)K和
成正比
正確答案:
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