26 「源極(Source)與基底(Substrate)的電壓差 VSB對臨限電壓(Threshold Voltage)的改變」，此敘述是下列那一種 效應所造成？
(A)密勒效應(Miller Effect)
(B)負載效應(Loading Effect)
(C)基體效應(Body Effect)
(D)霍爾效應(Hall Effect)

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統計： A(8), B(6), C(97), D(4), E(0) #677879

詳解 (共 3 筆)

#3400775
源極(Source)與基底(Substr...
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#7166792
你好！這是一道關於 MOSFET（金屬氧...
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#5914575
  1. 當MOSFET的源極和基底之間有一電壓差時，這會導致基底內部的電荷分佈發生變化。
  2. 這種電荷的重新分佈會導致通道形成所需的臨限電壓變化。
  3. 具體而言，增加VSB通常會增加臨限電壓，使得開啟MOSFET變得更加困難。

這就是為什麼稱它為基體效應：因為這個效應是由於在MOSFET的基體(Substrate)和源極(Source)之間的電壓引起的。

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