26 一N通道接面場效電晶體（JFET）的IDSS＝4 mA，VP＝-4 V，若ID＝1 mA，則其VGS約為： (A) 2 V (B) 1 V (C)-1 V (D)-2 V

26 一N通道接面場效電晶體（JFET）的I_DSS＝4 mA，V_P＝-4 V，若I_D＝1 mA，則其V_GS約為：
(A) 2 V
(B) 1 V
(C)-1 V
(D)-2 V

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統計： A(4), B(6), C(4), D(77), E(0) #852849

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B1 · 2017/05/02

#2165596

JFET ID=IDSS(1-VGS/V...

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5 關於源極耦合（Source-Coupled）全差動式放大器（Fully Differential Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)差動放大器之共模輸入對差模輸出增益（Differential to Common-Mode Gain）與匹配度無關 (B)差動放大器對電源雜訊之干擾免疫力較差 (C)共源極端利用定電流偏壓可抑制電路之共模增益（Common-Mode Gain） (D)在相同元件尺寸、負載電阻，與電晶體電流偏壓條件下，其增益為單端共源極放大器之二倍

26 一N通道接面場效電晶體（JFET）的I_DSS＝4 mA，V_P＝-4 V，若I_D＝1 mA，則其V_GS約為：
(A) 2 V
(B) 1 V
(C)-1 V
(D)-2 V

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