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試題詳解

試卷:105年 - 105 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#52901 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:105年 - 105 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#52901

年份:105年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區(Saturation Region),有關其小訊號模型的敘述,下列何者錯誤?
(A)電流 ID越大,則轉導值(gm)越小
(B)Cgs>Cgd
(C)ID越大,ro越小
(D)過驅電壓越大(Overdrive Voltage),則轉導值(gm)越大
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私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#7595168
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私人筆記#5710360
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