26. 金氧半場效應電晶體(MOSFET)的工作特性，下列敘述何者錯誤？
(A) N通道增強型MOSFET，VGS＞VT才能導通ID電流
(B) P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT為正值
(C) VGS為零時，N通道增強型MOSFET沒有通道
(D) N通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSP為負值

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統計： A(0), B(1), C(2), D(0), E(0) #3398813

詳解 (共 1 筆)

#6536152
題目分析 本題主要考察考生對金氧半場效應...
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