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初等/五等/佐級◆電子學大意
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112年 - 112 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組:電子學大意#114944
> 試題詳解
27圖中放大器電路中電晶體的 β=99、V
A
=100 V,熱電壓 V
T
= 0.025 V,放大器增益 vo/vi 的最接近值為何?
(A) 96
(B) 106
(C) 116
(D) 126
答案:
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統計:
A(6), B(15), C(6), D(5), E(0) #3118405
詳解 (共 2 筆)
蘇俊諺
B1 · 2023/07/24
#5894179
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/11/28
#7165338
這是一個關於 BJT 共射極放大器(Co...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/05
私人筆記#7541258
未解鎖
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相關試題
1相較於 Si、GaAs 半導體材料,SiC、GaN 具備下列何種特性? (A)窄能隙 (B)低遷移率(C)高崩潰電壓 (D)低導熱率
#3118379
2有關矽二極體材料之敘述,下列何者錯誤? (A)施體(Donor)雜質具有 5 個價電子 (B)經過摻雜(Doping)處理的半導體稱為本質(Intrinsic)半導體 (C) N 型材料的多數載子是電子 (D) P 型材料的少數載子是電子
#3118380
3下列何種情況元件的整體阻抗較低,易有較大電流發生? (A)偏壓為零的二極體 (B)絕緣體 (C)順向偏壓且超過切入(cut-in)電壓的二極體 (D)逆向偏壓二極體
#3118381
4NPN 雙極性接面電晶體之特性,下列敘述何者正確? (A)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值,也同時高於射極的主要載子濃度 (B)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值,但是卻低於射極的主要載子濃度 (C)集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值,但是卻高於射極的主要載子濃度 (D)集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值,也同時低於射極的主要載子濃度
#3118382
5NPN 雙極性接面電晶體,α= 0.96,在主動區操作,下列何者錯誤? (A) β= 24 (B)電流比值 IB/IE = 25 (C) VCE > 0 (D)電子流方向由射極到集極
#3118383
6雙極性接面電晶體,基極和射極的順向導通電壓 VBE = 0.7 V,基極和集極的順向導通電壓 VBC = 0.5 V, 各極提供的電壓如圖示,下列何者是在逆向主動區模式?(A) VC = 4.8 V,VB = 3.2 V,VE = 1.6 V (B) VC = 3.0 V,VB = 3.5 V,VE = 5.2 V (C) VC = 3.8 V,VB = 5.5 V,VE = 3.6 V (D) VC = 5.3 V,VB = 3.4 V,VE = 4.8 V
#3118384
7P 通道加強型金氧半場效電晶體(MOSFET)的閘-源極電壓(VGS)在下列何種情況才能形成通道? (VT 為臨界電壓) (A) VGS>VT>0 (B) VT>VGS>0(C) 0>VT>VGS (D) 0>VGS>VT
#3118385
8下列有關「絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)」之特性敘述何者錯誤? (A)具有雙極性接面電晶體(BJT)的輸出特性 (B)與金氧半場效電晶體(MOSFET)相同,為電壓控制電流源元件 (C)其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極 (D)相較於雙極性接面電晶體(BJT)而言,其切換速度較慢
#3118386
9當增強型 N 通道 MOSFET 的汲極和源極間的通道呈線性電阻特性,下列何者錯誤? (A) VGS 值大於臨界電壓值 VTH (B) VGD 值大於臨界電壓值 VTH (C)通道載子濃度受 VGS 值影響 (D)汲極和源極間等效電阻值 RDS 和閘極電壓值 VGS 成正比
#3118387
10一低通濾波器,若時間常數很大時,此濾波器可作為下列何種應用? (A)微分器 (B)積分器(C)高通濾波器 (D)帶通濾波器
#3118388
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