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試題詳解

試卷：113年 - 113 初等考試_電子工程：電子學大意#118527 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：113年 - 113 初等考試_電子工程：電子學大意#118527

年份：113年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

27 有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
(A) n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate）
(B) n 通道的空乏型 MOSFET 需另加正值 VGS，才能感應出通道
(C)其通道電流 ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加
(D) n 通道的空乏型 MOSFET 之 VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值
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