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27 有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
(A) n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate）
(B) n 通道的空乏型 MOSFET 需另加正值 VGS，才能感應出通道
(C)其通道電流 ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加
(D) n 通道的空乏型 MOSFET 之 VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值
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統計： A(2), B(26), C(5), D(6), E(0) #3190245
統計： A(2), B(26), C(5), D(6), E(0) #3190245
