28 如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進 入主動區（Forward Active Region）？
(A)提高 R1
(B)提高 R2
(C)提高 Vcc
(D)減低 Vb

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統計： A(80), B(11), C(22), D(19), E(0) #1028680

詳解 (共 6 筆)

#1236036


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#1597309

飽和→主動 ⇒Vce>0.2 。Vce=Vcc-Ic*(R1+R2) 。R1↑⇒Vce↓

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#3623127
主動區的條件 Vce>0.2Ib=...
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#2732889
IB和R2反比 IC↓IB↓R2↑
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#2711999
回樓上那我R2提高不也可以嗎?
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#1235963
請問為何是A?

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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7614341
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