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28 考慮一金氧半場效電晶體 VA=10 V，當操作在過驅電壓 Vov=0.1 V 時，其本質增益（gmro）的值為何？
(A) 100
(B) 200
(C) 500
(D) 1000
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統計： A(7), B(10), C(2), D(0), E(0) #3093341
統計： A(7), B(10), C(2), D(0), E(0) #3093341
詳解 (共 3 筆)
hchungw
#5871136
在雙極性接面電晶體（BJT）或場效應電晶體（FET）的模型中，本質增益（Intrinsic gain）是一個非常重要的參數，用於描述電晶體的基本增益特性。本質增益通常被表示為 gmro，其中 gm 是轉導（Transconductance），而 ro 是輸出阻抗（output resistance）。
轉導 gm：這是描述輸入電壓變化與輸出電流變化之間關係的參數。它的計算公式是輸出電流對輸入電壓的導數（在操作點附近）。
輸出阻抗 ro：這是描述電晶體輸出端的阻抗。在模型中，它通常被視為電晶體的內部阻抗。
在這兩個參數已知的情況下，本質增益就可以被定義為它們的乘積：
本質增益 gmro = gm * ro
這個本質增益 gmro 通常用於描述電晶體放大器的最大可能增益，並在許多電路設計和分析中扮演著重要的角色。值得注意的是，真實的增益通常會受到其他許多因素的影響，包括電晶體的工作點、周邊元件的影響，以及輸入和輸出信號的特性等等。
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