阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
106年 - 106 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#62347
> 試題詳解
29 固定偏壓電路中電晶體基-射極導通時所跨定壓降為V
BEQ
= 0.7 V,求該電晶體的輸出直流電壓V
CEQ
約 為多少?
(A)8 V
(B)6 V
(C) 5 V
(D) 4 V
答案:
登入後查看
統計:
A(9), B(12), C(8), D(224), E(0) #1607668
詳解 (共 1 筆)
中華電已上榜
B1 · 2017/06/25
#2293063
IC=(10-0.7)*50/62k=7...
(共 46 字,隱藏中)
前往觀看
15
0
其他試題
25 CMOS 場效電晶體的輸出端通常會連接由 MOSFET 所組成的邏輯電路,其中可能造成 CMOS 輸出 響應的傳輸延遲(propagation delay)主要受到 MOSFET 內部那個因素影響? (A)輸出電阻 (B)輸入電阻 (C)輸出電容 (D)輸入電容
#1607664
26 圖中電晶體 M1 操作在飽和區 (saturation region),輸出阻抗 ro=10 kΩ,轉導值 gm = 10 mA/V 。電 流源 I 的內阻為 10 kΩ,且負載電阻 RL亦為 10 kΩ 。則 |vo / vs | =? (A)100/103 (B)1 (C) 9/10 (D) 100/3
#1607665
27 圖中電晶體操作在主動區(forward active region),β = 99 。直流偏壓為 VB ,交流輸入信號為 vs, 輸出信號為 vo1及 vo2 。下列敘述何者正確? (A)vo1 及 vo2 為同相 (in phase)輸出 (B)|vo1 / vo2 | = 100/99 (C)|vo1 / vo2 | = 99/100 (D)|vo1 / vo2 | = 1
#1607666
28 如圖所示之電晶體放大器電路中增強型 MOSFET 的相關參數為 μnCox(W/L) =2 mA/V2 和臨界電壓 Vth =1 V,測得輸出直流偏壓電壓 Vo = VDSQ = 6 V,該偏壓下電晶體的小信號互導 gm 約為多少? (A)0.4 mA/V (B)2 mA/V (C) 4 mA/V (D) 10 mA/V
#1607667
30 下列差動放大器的共模拒斥比(CMRR)的敘述,何者正確? (A)與共模放大增益成正比 (B)與差模放大增益成反比 (C)越小越好 (D)越大越好
#1607669
31 設場效電晶體之動態電阻定義為 rd = △vDS /△iD(at △vGS=0),今有兩個完全相同的場效電晶體,其動態 電阻原皆為 rd,今將其並聯連接後之動態電阻變成: (A)∞ (B)2 rd (C) rd (D) 0.5 rd
#1607670
32 如圖之差動對電路,電晶體之 β = 100,ro→∞,RC = 4 kΩ,I = 2 mA,VCC = -VEE=10 V,取 VBE(on) = 0.7 V, VCE(sat) = 0.3 V,VT = 25 mV,此差動對的差動電壓增益 |Ad |約為多大? (A)0 (B)80 V/V (C) 160 V/V (D) 200 V/V
#1607671
33 雙極性電晶體內部電容因米勒效應(Miller Effect)會影響放大器的何種特性? (A)高頻響應 (B)中頻增益 (C)溫度係數 (D)低頻響應
#1607672
34 如圖所示由兩個理想 OPA 構成的波形產生電路,測得 vO1 的頻率與振幅分別為 f1 與 Vm1,而 vO2 的頻 率與振幅則分別為 f2與 Vm2,如果只有 R2的阻值變為原來的 2 倍,則下列敘述何者正確? (A)vO1的頻率仍為 f1 (B)vO1的振幅為 2 Vm1 (C) vO2的頻率仍為 f2 (D) vO2的振幅為 2 Vm2
#1607673
35 CB-CE 串級放大電路中電晶體之 β1 = β2 = 100,各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為 2.5 mA,且 第 2 級放大電路的輸入電阻 Ri2 = 20 kΩ,決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少?熱電壓 VT = 25 mV。 (A)80 (B)200 (C) 240 (D)360
#1607674