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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22366
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29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -Transistor Logic)快的原因是因為蕭特基電晶體:
(A)沒有 RC 延遲因素
(B)不會進入深飽和區
(C)載體移動率較快
(D)載體以穿透效應傳輸
答案:
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統計:
A(17), B(39), C(12), D(10), E(0) #852892
詳解 (共 1 筆)
ccgc
B1 · 2019/05/28
#3379893
蕭特基電晶體 由蕭特基二極體與BJT組成...
(共 98 字,隱藏中)
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其他試題
25 如圖所示為一個交流等效電路,其輸入阻抗(Zin=Vi/Ib)為: (A)rπ+RE (B)rπ (C)rπ((1+β)RE) (D)rπ+(1+β)RE
#852888
26 如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為 12V 之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為: (A) 12V (B) 11.3V (C) 10.6V (D) 9.2V(E)一律給分
#852889
27 在室溫下,加熱一矽半導體,若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大,則可推測該矽半 導體最可能是: (A)n+ 型半導體 (B)p+ 型半導體 (C)純矽半導體 (D)無從推測
#852890
28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中,若有電子流流向正 X 方向,霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼 方向? (A)正 Y (B)負 Y (C)正 Z (D)負 Z
#852891
30 將硼( B )元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體? (A) N 型 (B) P 型 (C)空乏型 (D)增強型
#852893
31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm) 需約為多少才能維持振盪: (A) 20mA/V (B) 2mA/V (C) 0.2mA/V (D) 0.02mA/V
#852894
32 關於 之敘述,何者正確?(A)此為低通濾波器 (B)此為帶通濾波器 (C)其高頻增益為 (D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
#852895
33 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。其中R1=R2=10kΩ,負載電阻RL=20kΩ。若輸入電壓VIN =2V,則負載電壓VL為何? (A) 0.5V (B) 1V (C) 2V (D) 4V
#852896
34 圖示理想運算放大器電路,若輸出電壓vO=2(v1-v2),則: (A)R1=2kΩ、R2=4kΩ、R3=10kΩ、R4=10kΩ (B)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=5kΩ、R4=10kΩ (C)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=3kΩ、R4=4kΩ (D)R1=2kΩ、R2=3kΩ、R3=3kΩ、R4=8kΩ
#852897
35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中,Zi及Zo分別代表輸入及輸出阻抗,rd為MOSFET小訊號模型汲極 區域內電阻,下列敘述何者正確? (A)Zi=R1+R2,Zo=RD (B)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=RD (C)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=rd RD/( rd+RD) (D)Zi=R1+R2,Zo=rd RD/( rd+RD)
#852898