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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#22366
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
100年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 有關 DRAM（動態隨機存取記憶體）與 SRAM（靜態隨機存取記憶體）的敘述，下列何者正確？ (A) SRAM 需要重新充電（refresh） (B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜 (C) DRAM 結構需用到電容效應 (D) DRAM 屬非揮發性記憶體
2 關於邏輯電路之敘述，下列何者正確？ (A)靜態邏輯（Static Logic）電路切換過程無動態功率（Dynamic Power）消耗 (B)動態邏輯（Dynamic Logic）電路在穩態時有導通路徑將輸出值連結至最高或最低電壓 (C)組合式邏輯（Combinational Logic）電路之輸出值僅與輸入布林變數之目前狀態有關 (D)或閘（OR Gate）為序列式邏輯電路
3 關於理想運算放大器之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗無限大 (C)差動增益（Differential-mode Gain）為 0 (D)共模增益（Common-mode Gain）為 0
4 圖示電路為何種濾波器？
(A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒
5 圖中電路之功能為：
(A)帶拒濾波器 (B)高通濾波器 (C)低通濾波器 (D)帶通濾波器
6 對於理想電流放大器（Current Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸入阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電壓放大器特性相同
7 在雙極性接面電晶體共射極組態中，理想小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc 進入基極，電容 Cc 之 目的為： (A)隔離放大器與電源間的直流 (B)增加輸出阻抗 (C)隔離交流訊號 (D)隔離雜訊
8－2 8 雙極性接面電晶體（BJT）若工作於作用區（Active-Region），其偏壓需滿足下列何種條件？ (A)基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為順向偏壓 (B)基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為反向偏壓 (C)基-射極接面為反向偏壓，基-集極接面為順向偏壓 (D)基-射極接面為反向偏壓，基-集極接面為反向偏壓
9 下列何者為齊納（Zener）二極體作為穩壓用時的工作區域？
(A)Ⅰ ID (B)Ⅱ (C)Ⅰ及Ⅱ (D)Ⅲ
10 利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為： (A) SRAM（靜態隨機存取記憶體） (B) EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體） (C) DRAM（動態隨機存取記憶體） (D) ROM（唯讀記憶體）
11 圖為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic，ECL）電路。其中V
Ⅰ
為輸入，V
O1
、V
O2
為輸出，V
CC
為電壓 源，V
R
為參考電壓，Ⅰ為偏置電流源（Bias Current Source）。當I
C1
/I
C2
>99 時，V
O1
為邏輯“0＂。則其 輸入電壓V
Ⅰ
為：（方程式中，V
T
＝0.025V）
(A) V
R
-V
T
l
n
(99) (B)V
R
+V
T
l
n
(99) (C)V
R
+99V
T
(D)V
R
-99V
T
12 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若V
cc
＝5V且輸入電壓V
i
＝0V，下列敘 述何者為正確？
(A)Q
2
不導通、Q
3
不導通、輸出電壓V
o
＝5V (B)Q
2
導通、Q
3
不導通、輸出電壓V
o
＝5V (C)Q
2
不導通、Q
3
導通、輸出電壓V
o
＝0V (D)Q
2
導通、Q
3
導通、輸出電壓V
o
＝0V
13 關於圖中振盪器之敘述，何者錯誤？
(A)輸出信號（V0）近似為方波 (B)R1越大振盪頻率越低 (C)R2越大振盪頻率越低 (D)R3越大振盪頻率越低
14 如圖電路，下列何者為錯誤？
(A)此電路為一階低通濾波器 (B)低頻訊號增益為
(C)高頻截止頻率為
(D)頻率響應圖為
15 關於圖中電路，下列敘述何者正確？
(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器
16 圖中等效電路的電壓增益，以下何者為錯誤？
(A)有一個非無窮大的零點（Zero） (B)有兩個極點（Pole） (C)低頻電壓增益為：-g
m
RL (D)單位增益頻率（Unit Gain Frequency）為：g
m
/2π(C+C
L
)
17 圖示電路，其中R
2
＝2R
1
，且二極體導通時的電壓降為 0.7V。若輸入電壓v
I
＝-2V，則輸出電壓v
O
為若 干V？
(A)-4 (B)-2 (C) 0 (D) 4
18 圖中電路，若運算放大器為理想，則Ii值為何？
(A) 0.25 mA (B) 1 mA (C) 4 mA (D) 5 mA
19 圖示理想運算放大器電路，若R
1
＝2kΩ、R
2
＝6kΩ、R
3
＝3kΩ、R
4
＝6kΩ，今輸入訊號v
I
＝1mV，則輸 出電壓v
o
為若干mV？
(A) -8 (B)-6 (C) 6 (D) 8
20 圖為含射極電阻RE的差動放大器（Differential Amplifier）。其中R
C1
＝R
C2
＝8kΩ，R
E
＝100Ω，I
B1
＝I
B2
＝0.5mA，電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電壓增益約為：
(A) 80 V (B) 75 (C) 60 (D) 40
21 共射極（CE）電晶體放大電路中，R
E
為射極端外接電阻，h
ie
為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值 ： (A)接近R
E
(B)遠大於R
E
(C)接近h
ie
(D)遠小於h
ie
22 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β (＝I
c
/I
b
)為 210，以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗r
o
為 50 kΩ，則此放大器的電壓增益A
V
(＝V
o
/V
i
)約為多少？
(A) -100 (B)-200 (C)-300 (D)-400
23 P-通道增強型（Enhancement Type）MOSFET通道導通的條件是（V
TH
：臨限電壓）： (A) V
GS
＝0 (B)V
GS
> V
TH
(C)VGS < V
TH
(D)V
GS
>0
24 下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET？ (A)汲極回授偏壓 (B)自給偏壓 (C)分壓偏壓 (D)固定偏壓
25 如圖所示為一個交流等效電路，其輸入阻抗(Z
in
＝V
i
／I
b
)為：
(A)r
π
+R
E
(B)r
π
(C)rπ((1+β)R
E
) (D)r
π
+(1+β)R
E
26 如圖的全波整流器電路，各二極體導通之V
D
＝0.7V。若輸入電壓V
I
之峰對峰（Peak-to-Peak）為 12V 之正弦波，則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為：
(A) 12V (B) 11.3V (C) 10.6V (D) 9.2V(E)一律給分
27 在室溫下，加熱一矽半導體，若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大，則可推測該矽半 導體最可能是： (A)n
+
型半導體 (B)p
+
型半導體 (C)純矽半導體 (D)無從推測
28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中，若有電子流流向正 X 方向，霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼 方向？
(A)正 Y (B)負 Y (C)正 Z (D)負 Z
29 蕭特基電晶體邏輯（Schottky-Transistor Logic）電路動作速度比雙極性電晶體邏輯（Transistor -Transistor Logic）快的原因是因為蕭特基電晶體： (A)沒有 RC 延遲因素 (B)不會進入深飽和區 (C)載體移動率較快 (D)載體以穿透效應傳輸
30 將硼( B )元素摻進純矽晶體中，則成為何種型別的半導體？ (A) N 型 (B) P 型 (C)空乏型 (D)增強型
31 圖中振盪器，C
1
＝10μF，C
2
＝20μF，L＝100nH，R＝10kΩ。電晶體的跨導（Transconductance，gm） 需約為多少才能維持振盪：
(A) 20mA/V (B) 2mA/V (C) 0.2mA/V (D) 0.02mA/V
32 關於
之敘述，何者正確？
(A)此為低通濾波器 (B)此為帶通濾波器 (C)其高頻增益為
(D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
33 由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。其中R
1
＝R
2
＝10kΩ，負載電阻R
L
＝20kΩ。若輸入電壓V
IN
＝2V，則負載電壓V
L
為何？
(A) 0.5V (B) 1V (C) 2V (D) 4V
34 圖示理想運算放大器電路，若輸出電壓v
O
＝2(v
1
－v
2
)，則：
(A)R1＝2kΩ、R2＝4kΩ、R3＝10kΩ、R4＝10kΩ (B)R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝5kΩ、R4＝10kΩ
(C)R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝3kΩ、R4＝4kΩ
(D)R1＝2kΩ、R2＝3kΩ、R3＝3kΩ、R4＝8kΩ
35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中，Z
i
及Z
o
分別代表輸入及輸出阻抗，r
d
為MOSFET小訊號模型汲極 區域內電阻，下列敘述何者正確？
(A)Zi＝R1+R2，Zo＝RD
(B)Zi＝(R1 R2)/(R1+R2)，Zo＝RD
(C)Zi＝(R1 R2)/(R1+R2)，Zo＝rd RD/( rd+RD)
(D)Zi＝R1+R2，Zo＝rd RD/( rd+RD)
36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線，操作在那一點時功率損耗最多？
(A)P1 (B)P2 (C)P3 (D)P4
37 PN接面二極體，P型的雜質濃度為N
A
，N型的雜質濃度為N
D
，接面處P型的空乏區寬度為X
P
，N型的 空乏區寬度為X
N
，若N
A
＞N
D
，則下列敘述何者為正確？ (A) X
P
＞X
N
(B)X
P
＜X
N
(C)X
P
＝X
N
(D)N
A
X
P
＞N
D
X
N
38 設V
BE
＝0.7V，則圖中的電流I
C
約為：
(A) 10.0mA (B) 6.0mA (C) 4.3mA (D) 3.8mA
39 圖中電路，假設V
IN
＝V
DD
，V
G
＝V
DD
，V
DD
＝4V，C＝100fF。電晶體的臨限電壓（Threshold Voltage，VTH ）為 1V，本體效應（Body Effect）可以忽略。製程跨導參數（Process Transconductance Parameter，μn Cox）為 50 μA/V
2
。寬長比（Aspect Ratio，W/L）為 2。則此電路的V
O
從 0 V升至V
DD
/2 所需要的時間約 為：
(A) 1ns (B) 0.8ns (C) 0.4ns (D) 0.2ns
40 某場效電晶體A
v
對頻率f曲線如圖，其頻帶寬(BW)之定義為：
(A)BW＝f4-f1 (B)BW＝f4-f3 (C)BW＝f2-f f3 (D)BW＝f2-f1
申論題 (0)
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(C)高頻截止頻率為
(D)頻率響應圖為 
之敘述，何者正確？
(D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
