39 圖中電路，假設V
IN＝V
DD，V
G＝V
DD，V
DD＝4V，C＝100fF。電晶體的臨限電壓（Threshold Voltage，VTH
）為 1V，本體效應（Body Effect）可以忽略。製程跨導參數（Process Transconductance Parameter，μn
Cox）為 50 μA/V
2
。寬長比（Aspect Ratio，W/L）為 2。則此電路的V
O從 0 V升至V
DD/2 所需要的時間約
為：
(A) 1ns
(B) 0.8ns
(C) 0.4ns
(D) 0.2ns
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