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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28882
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30 若 Acm為差動放大器的共模增益(Common-mode gain),Ad為其差模增益(Differential-mode gain),其 CMRR (Common-mode rejection ratio)定義為:
(A)
(B)
(C)
(D)
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統計:
A(8), B(125), C(5), D(8), E(0) #979463
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/07
#2177151
共模拒斥比 CMRR =│ Ad / A...
(共 65 字,隱藏中)
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23 一個空乏型的 n-MOSFET,其 Vt = -1 V,請問當 VGS為下列何值時,會有通道? (A) 0 V(B) -1 V(C) -2 V(D) -3 V
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24 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體(BJT),經實驗量測其基極 B 之電壓為 3 V,射極 E 的電壓 2.3 V,集 極 C 電壓 2.4 V,請問此電晶體在何工作區? (A)主動區(Active region)(B) 飽和區(Saturation region) (C)截止(Cutoff)(D) 逆向主動區(Reverse active region)
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25 關於 BJT 電晶體之敘述,下列何者錯誤? (A)若電晶體操作於主動區,其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大 (B)若電晶體操作於飽和區,其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於主動區時為大 (C)若電晶體操作於主動區時,其電流增益 ic /ib較操作於飽和區時為大 (D)爾利電壓 VA(Early voltage)與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比
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26 一般 MOSFET 單級放大器架構中,小訊號特性輸入阻抗較低的是那一種? (A)共源極 (B)共汲極(C) 共閘極 (D)具源極電阻之共源極
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27 如圖所示之電路,假設 MOS 電晶體操作在飽和區, mA/V 2,λ = 0,CGS = 15 pF,CGD = 4 pF 且 VGS – VTH = 350 mV,求輸出端之 -3dB 頻率為何? (A) 7.9 MHz(B) 17.9 MHz(C) 27.9 MHz(D) 37.9 MHz
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28 圖示電路中場效電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 0.125 mA/V2,若電晶體在飽和區工作,則電阻 RD的最大值 為若干 kΩ? (A) 0.5(B) 1(C) 1.5(D) 2
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29 如圖電路為一共源放大器的簡圖,若電晶體之 gm = 0.5 mA/V,VA = ∞,RD = 5 kΩ,則此放大器的輸出電阻 Ro為: (A) 0(B) 2 kΩ(C) 5 kΩ(D) ∞
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31 如圖所示為一 BJT 差動對(Differential-Pair)電路。Q1 = Q2,並設工作於主動模式(active-mode)。當 VB1 = VB2 = 0 V 時,射極電壓 VE為何? (A) 0 V (B)-0.7 V(C)(D)
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32 若某一放大器之最大電壓增益為 100,則在-3dB 頻率點的電壓增益為多少? (A)141.4(B) 70.7(C) 63.6 (D)50
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33 如圖所示之理想運算放大器振盪電路,R = 10 kΩ,C = 20 nF,當電路振盪時其振盪頻率為何? (A)125 Hz(B) 225 Hz(C) 325 Hz(D) 425 Hz
#979466
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