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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22221
> 試題詳解
31 一個差動放大器,若 V
+
= +10mV 而 V
-
= -10mV,那差動輸入電壓(differential-mode input voltage)為:
(A) 0mV
(B) +10mV
(C) +20mV
(D) -30mV
答案:
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統計:
A(24), B(7), C(131), D(0), E(0) #845963
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2017/04/07
#1926765
Vid=V1-V2 =+10-...
(共 32 字,隱藏中)
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相關試題
32 如圖所示放大器,外接電容為 CC1、CC2 和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器 電路的高頻響應,下列敘述何者正確? (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)主要受其他電容影響,但受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度不大
#845964
33 由電阻 R1、R2和運算放大器組成的非反相放大器(Non-Inverting Amplifier),如圖所示。其中 R1=1kΩ, R2=1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V,輸入偏移電壓(Input Offset Voltage, Vos)為 5mV。若 輸入 VIN為正弦訊號,則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真? (A) 15 mV (B) 10 mV (C) 5 mV (D) 2 mV
#845965
34 如圖所示之電路,其運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,則此電路之遲滯(hysteresis)電壓範圍為何? (A) 10 V (B) 12 V (C) 15 V (D) 18 V .
#845966
35 分析如圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm=1 mA/V 且操作於飽和區,臨界電壓 Vth=1 V,VGS=1.2 V, 求 RD=? (A) 19 kΩ (B) 25 kΩ (C) 38 kΩ (D) 45 kΩ
#845967
36 如圖之電路,運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,若 Vo之週期為 3 ms,則 R2/R1為何? (A) 1/10 (B) 1/4 (C) 1/3 (D) 1/2
#845968
37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ, 試求 Vo / Vi約為多少? (A) 10 (B) 7.5 (C) 25/6 (D) 25/11
#845969
38 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V。若忽略元 件之輸出阻抗(ro),則輸出(Vo)對輸入(Vi)之共模增益(Common Mode Gain)Acm=? (A) 0 (B) 1/11 (C) 1/10 (D) ∞
#845970
39 相較於單級共射極(CE)放大器,圖示 CC-CE 串接電路之主要優點在於提高: (A)輸入阻抗、輸出阻抗 (B)輸入阻抗、頻寬 (C)輸出阻抗、電壓增益 vo/vi (D)輸出阻抗、頻寬
#845971
40 一個理想二極體,在順向偏壓時: (A)電流為零 (B)電壓為零 (C)電阻為無窮大 (D)電容為零
#845972
1 假設虛擬記憶體的虛擬位址(virtual address)是 32-bit,一個分頁(page)的大小是 4KB,則該虛擬 記憶體共有幾個分頁? (A)220 (B)232 (C)212 (D)218
#845973
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