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初等/五等/佐級◆電子學大意
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108年 - 108 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#76842
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31 當一 n 通道增強型 MOSFET,工作於三極管區(Triode region)時,下列何者正確?
(A) VDS≧VGS-Vt
(B) VDS≦Vt
(C) VGD≧Vt
(D) Vt≦0
答案:
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統計:
A(45), B(31), C(171), D(15), E(0) #2017738
詳解 (共 1 筆)
國考生
B1 · 2019/06/17
#3419108
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/22
私人筆記#7579962
未解鎖
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其他試題
27 圖中電晶體操作在主動區 (active region),β=99 ,gm=10 mA/V 。直流偏壓為 VB ,交流輸入信號 為 vs,輸出信號為 vo。下列敘述何者正確 ? (A)屬共射級(common emitter)放大器 (B)為同相放大器 (C)|vo/vs | = 100 (D)輸入阻抗 < 10 kΩ
#2017734
28 具有共射極電流增益 β 及爾利(Early)電壓 VA的電晶體,其輸入、輸出直流偏壓電流分別為 IBQ、 ICQ時,下列那一選項具有最大的小信號等效輸出電阻? (A) VA=100 V,β=100,ICQ=2 mA (B) VA=100 V,β=80,IBQ=0.02 mA (C) VA=80 V,β=50,ICQ=2 mA (D) VA=80 V,β=80,IBQ=0.04 mA
#2017735
29 轉導(Gm)放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述,下列何者正確? (A)輸入應為低阻抗 (B)輸出應為高阻抗 (C)輸入阻抗與電流放大器之輸入特性相似 (D)輸出阻抗與電壓放大器之輸出特性相似
#2017736
30 如圖所示為操作於主動模式(active mode)的雙極接面電晶體的 π 型小訊號等效電路,若 gm值增為 兩倍,則 rπ值會如何? (A)增為 √2 倍vbe ro (B)增為 2 倍 rπ gmvbe (C)減為一半 (D)不變
#2017737
32 分析如圖之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試 求其共模增益 Vo/Vicm = ? VDD
#2017739
33 圖中電晶體 M1 操作在飽和區(saturation region),輸出阻抗 ro =10 kΩ, 轉導值 gm = 10 mA/V。 若電阻 R=10 kΩ,下列敘述何者正確? (A)小信號增益 | vo / vs | = 10 (B)屬共汲極(common drain)放大器 (C) Rout = 5 kΩ (D)若電阻 R 值增加且電晶體 M1 維持操作在飽和區,| vo / vs |降低
#2017740
34 圖示 RC 耦合串級放大電路的總電壓增益為 60 dB,將第 1 級放大電路的偏壓電阻值 R1 與 R2 均變 為原來的 2 倍後,假設各級放大電路仍正常工作,總電壓增益約為多少? (A) 200 (B) 400 (C) 500 (D) 1000
#2017741
35 如圖所示為一 CMOS 反相器,其負載為電容 CL。若輸入的信號 vi為方波,其高電位為 VDD、低電位 為 0,頻率為 f,下列何者正確? (A)反相器負載電容 CL愈大功率消耗愈低 (B)反相器操作頻率愈快,功率消耗愈大 (C)反相器電晶體通道長度愈長,功率消耗愈小 (D)反相器電源電壓 VDD愈低,功率消耗愈大
#2017742
36 如圖電路,若輸入 vi(t)為方波電壓,則輸出 vo(t)是什麼波形? (A)正弦波 (B)三角波 (C)脈波 (D)矩形波
#2017743
37 一個 n 通道 MOSFET,若其閘極-汲極電容 Cgd = 10 f F,閘極-源極電容 Cgs = 50 f F,轉導 gm = 1.2 mA/V,則此 MOSFET 之單一增益頻率(unity-gain frequency)約為多少?(f =10-15) (A) 1.18 GHz (B) 2.18 GHz (C) 3.18 GHz (D) 4.18 GHz
#2017744