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初等/五等/佐級◆電子學大意
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93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
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33 加強型(Enhancement)NMOS 之門檻(threshold)電壓為 VTN,則加強型 NMOS 負載的場效電晶體(FET) 反向器(Inverter)之正常輸出電壓為下列何者?
(A)VDD
(B)VDD-VTN
(C)0
(D)VTN
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統計:
A(8), B(25), C(6), D(2), E(0) #677846
詳解 (共 1 筆)
nba17240
B1 · 2021/09/17
#5096241
VO=VDD-VTN
(共 12 字,隱藏中)
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其他試題
29 若 NMOS 場效電晶體(FET)之汲極源極電壓 VDS>閘極源極電壓 VGS>門檻(threshold)電壓 Vth,下列何 者正確? (A)電晶體操作在非飽和區(B)電晶體操作在飽和區 (C)電晶體截止(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處
#677842
30 關於場效電晶體(FET)之閘極電容的敘述,下列何者正確? (A)與場效電晶體(FET)閘極之通道長度成反比 (B)與場效電晶體(FET)閘極之通道寬度成反比 (C)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成反比 (D)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成正比
#677843
31 將一電容值為 C 的電容跨接於增益為 A 的放大器輸出端及輸入端,其等效輸入米勒(Miller)電容值為何? (A, C>0) (A)C(1+A) (B)C(1-A) (C)C(1 +1/A) (D)C(1-1/A)
#677844
32 下列場效電晶體(FET)之反向器(Inverter)的負載,何者有最大汲極(Drain)平均電流? (A)電阻 (B)加強型(Enhancement)PMOS (C)乏型(Depletion)NMOS (D)加強型 NMOS
#677845
34 右圖之敘述何者正確? (A)布林函數 F=AB+C (B)布林函數 F=(A+B)C (C)F 正常最大輸出電壓為 VDD (D)F 正常最大輸出電壓為(VDD-VTN)
#677847
35 頻率在零(Zero)點時,轉移函數(Transfer Function)的數值為何? (A)0(B)1(C)轉移函數最大值(D)無限大
#677848
36 場效電晶體(FET)閘極之通道長度為 L 和閘極之通道寬度為 W,若兩顆相同的場效電晶體(FET)串連, 則等效通道長度寬度比(L/W)為何? (A)0.5(B)1(C)2(D)0
#677849
37 右圖電路之輸出邏輯函數 F 為何?
#677850
38 右圖電路為何種電路? (A)TTL 或閘(OR) (B)TTL 反或閘(NOR) (C)ECL 或閘(OR) (D)ECL 反或閘(NOR)
#677851
39 右圖電路何者敘述正確? (A)NMOS 動態隨機存取記憶體細胞 (B)NMOS 靜態隨機存取記憶體細胞 (C)CMOS 動態隨機存取記憶體細胞 (D)CMOS 靜態隨機存取記憶體細胞
#677852