試題詳解

38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型（Depletion mode）MOSFET 電路，其參數值如下： V_DD＝5 V，I_D＝0.5 mA，V_tn（臨限電壓）＝－2 V，若此電晶體被偏壓在非飽和區工作，則電阻 R_s 至少須為多少？
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ