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專科學力鑑定◆專(一、二):電子學
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109年 - 109 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二):電子學#92574
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試題詳解
試卷:
109年 - 109 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二):電子學#92574 |
科目:
專科學力鑑定◆專(一、二):電子學
試卷資訊
試卷名稱:
109年 - 109 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二):電子學#92574
年份:
109年
科目:
專科學力鑑定◆專(一、二):電子學
38. 下列有關一般MOSFET與BJT功率晶體切換操作之敘述,何者正確?
(A) BJT之飽和電壓較低
(B) BJT可做更高頻之切換控制
(C) MOSFET有較高之閘極輸入阻抗
(D) MOSFET有較大之D、S 端導通電阻
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
Kuyroiume
B1 · 2021/03/28
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未解鎖
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