39 MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？
(A)基板和閘極之間的 p-n 接面
(B)閘極和源極之間空乏區互相影響
(C)通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響
(D)崩潰效應

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統計： A(3), B(7), C(34), D(2), E(0) #852667

詳解 (共 1 筆)

#3353785
基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（B...
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