試題詳解

4 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度， 此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？
(A) 接點
(B) 接點層層
(C) 接點層層
(D)接點層層層