4 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度, 此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為
。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極(Drain)是那一個接點?
(A)
接點
(B)
接點層層
(C)
接點層層
(D)
接點層層層
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統計: A(49), B(11), C(5), D(4), E(0) #2822507
統計: A(49), B(11), C(5), D(4), E(0) #2822507