5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體(Si-CMOSFET)電路及輸入電壓
的波形如下所示,
,假設兩個電晶體
的特性參數一致,即通道導通臨界電壓(threshold voltage)的絕對值均為 |Vth| = 0.5 V,相同的轉導值(transconductance)與幾何參數,亦即
。試研判電晶體 QP 在時間 t1 最可能的工作模式?
(A)飽和模式(Saturation mode)
(B)線性模式(Linear mode)
(C)次臨界模式(Subthreshold mode)
(D)截止模式(Cut-off mode)
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統計: A(33), B(23), C(3), D(10), E(0) #2822508
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