5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體(Si-CMOSFET)電路及輸入電壓 61b85aa8f0f26.jpg 的波形如下所示,
61b85ab70c9cc.jpg,假設兩個電晶體61b85bbcd39b7.jpg 的特性參數一致,即通道導通臨界電壓(threshold voltage)的絕對值均為 |Vth| = 0.5 V,相同的轉導值(transconductance)與幾何參數,亦即 61b85a95d3d5f.jpg。試研判電晶體 QP 在時間 t1 最可能的工作模式?61b85bd637701.jpg
(A)飽和模式(Saturation mode)
(B)線性模式(Linear mode)
(C)次臨界模式(Subthreshold mode) 
(D)截止模式(Cut-off mode)

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統計: A(33), B(23), C(3), D(10), E(0) #2822508

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t1=4V -> QP,QN都tu...
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這是一道關於 CMOS 反相器(Inve...
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