4. 與矽二極體(Silicon Diode)相較，對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤？
(A)切換 (Switching)速度較快
(B)反向回復(Reverse Recovery)時間較長
(C)較低之導通壓降(On-state Voltage)
(D)較低反向崩潰電壓(Reverse Breakdown Voltage)。

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統計： A(0), B(2), C(1), D(0), E(0) #2533077

詳解 (共 1 筆)

#4826407

蕭特基二極體（英語：Schottky diode），又譯肖特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體，是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基（Walter H. Schottky）。

蕭特基二極體的導通電壓非常低。一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過蕭特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。(wiki)


(A)切換 (Switching)速度較快
(C)較低之導通壓降(On-state Voltage)
(D)較低反向崩潰電壓(Reverse Breakdown Voltage)

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