40 記憶體晶片在 5 V 電源下，以 100 ns 週期連續操作，晶片功率消耗為 400 mW，在任一週期中有動作的所有邏輯的總電容約為何？ (A)0.8 nF (B)1 nF (C)1.6 nF (D)2 nF

40 記憶體晶片在 5 V 電源下，以 100 ns 週期連續操作，晶片功率消耗為 400 mW，在任一週期中有動作的所有邏輯的總電容約為何？
(A)0.8 nF
(B)1 nF
(C)1.6 nF
(D)2 nF

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統計： A(3), B(10), C(55), D(3), E(0) #1074436

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李德

B1 · 2016/04/29

#1326511

f=1/100n;P=f*C*V^2

私人筆記 (共 1 筆)

Alice

2025/12/27

私人筆記#7678934

未解鎖

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38 有一感知放大器（sense amplifier, SA）細部的電晶體電路如下圖所示，並顯示出等效寄生的電容CD、。當時脈ΦS=0 時，感知放大器不動作；當時脈ΦS=1 時，感知放大器才會動作。設每一對PMOS-NMOS 串聯路徑的轉移特性（voltage transfer characteristic, VTC）經適當設計後，其轉態的輸入準位為 0.5VDD，如下圖所示。若時脈ΦS=由 0 轉成 1 之前，已知位元信號線D、的電壓分別為VD=0.4 VDD、 =0.6 VDD，當時脈ΦS=1 後，試分析位元信號線D、 D 最終穩定的電壓： (A)信號線D最終穩定的電壓接近 0 V、信號線 D 最終穩定的電壓接近VDD (B)信號線D最終穩定的電壓接近 0.3 VDD、信號線 D 最終穩定的電壓接近 0.7 VDD (C)信號線D、最終穩定的電壓接近 0.5 VDD (D)信號線D最終穩定的電壓接近 0.6 VDD、信號線終穩定的電壓接近 0.4 VDD

40 記憶體晶片在 5 V 電源下，以 100 ns 週期連續操作，晶片功率消耗為 400 mW，在任一週期中有動作的所有邏輯的總電容約為何？
(A)0.8 nF
(B)1 nF
(C)1.6 nF
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