試題詳解

5 某一增強型 MOSFET 其臨界電壓 V_t = 2 V，若源極接地而直流電源 3 V 接到閘極，當 V_DS = 0.5 V 時， 試問該 MOSFET 操作在什麼區域？
(A)崩潰區（breakdown region）
(B)飽和區（saturation region）
(C)三極管區（triode region）
(D)主動區（active region）