試題詳解

試卷：105年 - 105 專科學校畢業程度自學進修學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#72495 | 科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

試卷名稱：105年 - 105 專科學校畢業程度自學進修學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#72495

年份：105年

科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

50. 有關IGBT之敘述，下列何者正確？
(A) 較MOSFET之耐壓低
(B) 較BJT功率電晶體有更高之工作速度
(C) 較MOSFET之電流增益低
(D) 較BJT功率電晶體之閘極輸入阻抗低

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