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初等/五等/佐級◆電子學大意
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108年 - 108 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#76842
> 試題詳解
6 在積體電路中,有關二氧化矽(SiO2)的角色,下列敘述何者正確?
(A)它讓擴散物質通過
(B)它的熱傳導性高
(C)它可保護且使矽表面絕緣
(D)它可控制擴散物質的濃度
答案:
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統計:
A(11), B(12), C(244), D(14), E(0) #2017713
詳解 (共 1 筆)
KEVIN_HUGO
B1 · 2019/06/18
#3420786
二氧化矽為絕緣體
(共 10 字,隱藏中)
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3
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/21
私人筆記#7578833
未解鎖
正確答案:(C) 它可保護且使矽表面絕...
(共 295 字,隱藏中)
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相關試題
1 下圖中輸入信號為弦波 vi (t)= 5 sin 10t 伏特,二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V,導通電阻為 0 Ω。放 大器(Amp)之增益為 9 V/V,輸入阻抗為無限大,輸出阻抗為 0,則輸出 vo(t)之最大值為何? (A) 5 V (B) 4.57 V (C) 4.43 V (D) 4.3 V
#2017708
2 一個 NPN 雙極性電晶體,β=100 且操作在主動區(active region)。若集極對射極的電壓為 5 V,集 極電流為 1 mA。熱電壓 VT = 0.025 V。求由基極視入的基射極小信號電阻 rπ? (A) 25 Ω (B) 50 Ω (C) 2.5 kΩ (D) 5 kΩ
#2017709
3 將一個 n-通道增強型 MOSFET 操作在飽和區,源極接地,以理想電流源注入 100 μA 的汲極電流。 此電晶體 μnCox = 20 μA/V2 ,W/L =10,Vt =0.5 V。若電晶體的爾利電壓(Early voltage)VA= 20 V, 問小信號增益大小的絕對值為多少? (A) 20 (B) 40 (C) 100 (D) 200
#2017710
4 已知某一雙極性接面電晶體的互導為 gm、輸入阻抗為 rπ、電流增益為 β,試問下列何者正確? (A) rπ = gm β (B) β= gm rπ (C) gm= β rπ (D) rπ gm β = 1
#2017711
5 如圖所示為一系列的方形脈波,其頻率為? (A) 300 kHz (B) 250 kHz (C) 200 kHz (D) 150 kHz v(t) (V) t (μ sec)
#2017712
7 有一雙極接面電晶體,其 VBE 保持定值,若此電晶體射極與基極的接面積增為 2 倍時,其小信號輸 出電阻(small signal output resistance)會如何? (A)增大為原來的 2 倍 (B)不變 (C)減小為原來的一半 (D)減小為原來的 4 分之 1
#2017714
8 下列那一種 FET 在閘極未加電壓時是沒有通道的? (A)增強型 MOSFET (B) JFET (C) P 通道空乏型 MOSFET (D) N 通道空乏型 MOSFET
#2017715
9 如圖所示為一個理想 CMOS 開關電路,若輸入電壓 Vi為負電壓(包含 0 伏特)時,則輸出電壓 Vo 應為多少伏特? (A) VDD (B) VDD/2 (C) VDD/3 (D) 0
#2017716
10 圖為使用理想運算放大器之電路,若電壓增益 Av =vO / vI = -100,R2 = R4 = 100 kΩ,R3 = 200 kΩ,則 R1為多少? (A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 15 kΩ (D) 20 kΩ
#2017717
11 關於 P-N 接面二極體之敘述,下列何者正確? (A)順向偏壓時擴散電容(diffusion capacitance)較空乏電容(depletion capacitance)為大 (B)逆向偏壓增加時,接面之少數載子濃度增加 (C)逆向偏壓增加時,空乏區之寬度減少 (D)順向偏壓減少時,擴散電容增加
#2017718
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