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108年 - 108 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#76842
> 試題詳解
6 在積體電路中,有關二氧化矽(SiO2)的角色,下列敘述何者正確?
(A)它讓擴散物質通過
(B)它的熱傳導性高
(C)它可保護且使矽表面絕緣
(D)它可控制擴散物質的濃度
答案:
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統計:
A(11), B(12), C(245), D(14), E(0) #2017713
詳解 (共 1 筆)
KEVIN_HUGO
B1 · 2019/06/18
#3420786
二氧化矽為絕緣體
(共 10 字,隱藏中)
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3
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/21
私人筆記#7578833
未解鎖
正確答案:(C) 它可保護且使矽表面絕...
(共 295 字,隱藏中)
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相關試題
7 有一雙極接面電晶體,其 VBE 保持定值,若此電晶體射極與基極的接面積增為 2 倍時,其小信號輸 出電阻(small signal output resistance)會如何? (A)增大為原來的 2 倍 (B)不變 (C)減小為原來的一半 (D)減小為原來的 4 分之 1
#2017714
8 下列那一種 FET 在閘極未加電壓時是沒有通道的? (A)增強型 MOSFET (B) JFET (C) P 通道空乏型 MOSFET (D) N 通道空乏型 MOSFET
#2017715
9 如圖所示為一個理想 CMOS 開關電路,若輸入電壓 Vi為負電壓(包含 0 伏特)時,則輸出電壓 Vo 應為多少伏特? (A) VDD (B) VDD/2 (C) VDD/3 (D) 0
#2017716
10 圖為使用理想運算放大器之電路,若電壓增益 Av =vO / vI = -100,R2 = R4 = 100 kΩ,R3 = 200 kΩ,則 R1為多少? (A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 15 kΩ (D) 20 kΩ
#2017717
11 關於 P-N 接面二極體之敘述,下列何者正確? (A)順向偏壓時擴散電容(diffusion capacitance)較空乏電容(depletion capacitance)為大 (B)逆向偏壓增加時,接面之少數載子濃度增加 (C)逆向偏壓增加時,空乏區之寬度減少 (D)順向偏壓減少時,擴散電容增加
#2017718
12 如圖所示電路,U1為理想運算放大器。已知電阻 R1=1 kΩ、R2=3 kΩ、R3=1 kΩ、R4=3 kΩ。求在輸入 端 vI2的等效輸入電阻 Rin2約為多少? (A) 1 kΩ (B) 3 kΩ (C) 4 kΩ (D) 8 kΩ
#2017719
13 某 pn 接面二極體在固定電流順偏導通下,下列敘述何者正確? (A)溫度變化與二極體兩端電壓降無關 (B)溫度愈高,二極體兩端電壓降愈高 (C) pn 接面截面積愈大,二極體兩端電壓降愈低 (D)溫度與電壓關係為+2 °C/mV
#2017720
14 如圖所示電路,若圖中輸入電壓為 Vi = 5 V,假設二極體皆為理想二極體,則輸出電壓 VO為多少? (A) 5 V (B) 2.5 V (C)- 2.5 V (D)- 5 V.
#2017721
15 如圖所示之電路,假設二極體之壓降皆為 0.7 V,求其輸出電壓 vout之漣波電壓(ripple voltage)值 為何? (A) 12 V (B) 3.51 V (C) 2.92 V (D) 0.324 V
#2017722
16 共源極接面場效電晶體(JFET)放大器的輸入電阻很大,是因為輸入端為? (A)未加電壓 (B)絕緣材質 (C)順向偏壓 (D)逆向偏壓
#2017723
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