7 若圖中的N通道增強型MOSFET之Vt＝1 V，µ nCox（W/L）＝1 mA/V2 ，則RD及源極與汲極間的有效電阻（rDS）之值分別約為： (A) 20.5 kΩ、312 Ω (B) 12.4 kΩ、253 Ω (C) 10.3 kΩ、153 Ω (D)5.8 kΩ、105 Ω

7 若圖中的N通道增強型MOSFET之V_t＝1 V，µ _nC_ox（W/L）＝1 mA/V²，則RD及源極與汲極間的有效電阻（rDS）之值分別約為：

(A) 20.5 kΩ、312 Ω
(B) 12.4 kΩ、253 Ω
(C) 10.3 kΩ、153 Ω
(D)5.8 kΩ、105 Ω

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統計： A(7), B(37), C(8), D(11), E(0) #852830

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pole~zero

B1 · 2015/11/13

#1189956

考這個>"<有沒有天理阿 ...

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5 關於源極耦合（Source-Coupled）全差動式放大器（Fully Differential Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)差動放大器之共模輸入對差模輸出增益（Differential to Common-Mode Gain）與匹配度無關 (B)差動放大器對電源雜訊之干擾免疫力較差 (C)共源極端利用定電流偏壓可抑制電路之共模增益（Common-Mode Gain） (D)在相同元件尺寸、負載電阻，與電晶體電流偏壓條件下，其增益為單端共源極放大器之二倍

7 若圖中的N通道增強型MOSFET之V_t＝1 V，µ _nC_ox（W/L）＝1 mA/V²，則RD及源極與汲極間的有效電阻（rDS）之值分別約為：

(A) 20.5 kΩ、312 Ω
(B) 12.4 kΩ、253 Ω
(C) 10.3 kΩ、153 Ω
(D)5.8 kΩ、105 Ω

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(A) 20.5 kΩ、312 Ω
(B) 12.4 kΩ、253 Ω
(C) 10.3 kΩ、153 Ω
(D)5.8 kΩ、105 Ω