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試題詳解

試卷：113年 - 113 初等考試_電子工程：電子學大意#118527 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：113年 - 113 初等考試_電子工程：電子學大意#118527

年份：113年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

8 有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？
(A)射極對基底
(B)汲極對基底
(C)閘極對源極
(D)源極對基底

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