9 一個 NMOS 電晶體,其臨界電壓 Vt=0.5 V。當輸入端電壓 VGS=1.5 V 時之汲極飽和電流 ID =1 mA, 則當汲極飽和電流 ID增為 4 mA 時,其 VGS值為多大?
(A)1.5 V
(B)2 V 
(C)2. 5 V
(D)3 V

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統計: A(23), B(15), C(253), D(12), E(0) #1809663

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#3352179
先算出KID =K(VGS -Vt)2 ...
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私人筆記#7583308
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