申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

三、在 n 通道 MOSFET 製程技術中，利用間隙壁（spacer）及兩次離子佈植實施 LDD （lightly doped drain）結構，請說明製程步驟。（15 分）