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高考三級◆材料化學（包括有機化學、無機化學）

高考三級◆行政法與行政救濟法

高考三級◆構造地質與地層學

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 03：飲料調製 101-150（2026/01/08 更新）#136590(50題)

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 03：飲料調製 51-100（2026/01/08 更新）#136589(50題)

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 03：飲料調製 1-50（2026/01/08 更新）#136588(50題)

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 02：作業準備 101-146（2026/01/08 更新）#136587(46題)

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 02：作業準備 51-100（2026/01/08 更新）#136586(50題)

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 02：作業準備 1-50（2026/01/08 更新）#136585(50題)

115年 - 20600 飲料調製 丙級 工作項目 01：吧檯清潔 1-57（2026/01/08 更新）#136584(57題)

115年 - 20600 飲料調製 乙級 工作項目 03：現場管理 51-100（2026/01/08 更新）#136583(50題)

115年 - 20600 飲料調製 乙級 工作項目 03：現場管理 1-50（2026/01/08 更新）#136582(50題)

115年 - 20600 飲料調製 乙級 工作項目 02：酒單設計 101-163（2026/01/08 更新）#136581(63題)

複選題40.下列有關『預防感電事故發生的作法』之敘述，請問何者是正確的？(A)預防跨步電壓觸電應遠離電線掉落之落電處或導線接地點(B)電線走火時通常使用泡沫滅火器滅火(C)用電設備非帶電體之金屬外殼不需接地(D)在分路裝設漏電斷路器

複選題39.下列各種試驗，請問何種無法測量出三相感應電動機之全部銅損？(A)無載試驗 (B)堵住試驗 (C)滿載試驗 (D)溫度試驗

複選題38.下列有關『直流無刷電動機』之敘述，請問何者是正確的？(A)直流無刷電動機無法避免發生換向火花的問題(B)直流無刷電動機是用電阻元件感測磁場位置(C)直流無刷電動機是利用電晶體作繞組電流的換向(D)直流無刷電動機的轉子是以永久磁鐵構成

(4)負載試驗的目的是測量滿載的_______及電壓的_______ 。

(3)溫升試驗的目的是測量_______的耐溫。

(2)開路試驗的目的是測量激磁導納與 _______。

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講師：陳耘得

簡介：12312312314444

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講師：陳耘得

簡介：12312312316666

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講師：陳耘得

簡介：1231231231qweqweqwewqeqwe

高鉀攝取可抑制renin-angiotensin system

描述：高鉀攝取可抑制renin-angiotensin system

解題

描述：生涯核心建構

代位訴訟

描述：代位訴訟相關爭點整理

27.Finland is the least densely populated country on the continent and ________ its five million residents enjoy one of the highest standards of living anywhere. (A)alike (B)then (C)thus (D)yet

28.________ most of his time devoted to the extracurricular activities, Allen, one of the gifted students in my class, got only mediocre scores in his major studies. (A)When (B)With (C)Despite (D)Although

29.The witness to the murder asked ________ in the TV news or newspaper. She wanted her name to be kept secret. (A)not to be identified (B)to not be identified (C)not being identified (D)being not identified

35 為避免液化石油氣儲槽因外圍起火燃燒，一時無法撲滅而發生 BLEVE 現象，可採取之防救策略 下列何者正確？ (A)槽體附近設置固定式撒水設備降低儲槽溫度 (B)設置防液堤將洩漏之燃料限制於槽體周圍 (C)降低安全閥的壓力設定值，使內壓上升速度增加 (D)減低槽體絕緣層，以避免熱蓄積

32. 矽摻雜銦會造成 (A) n 型半導體 (B) 傳導帶(conduction band)有電洞 (C) 共價帶(valence band)有電洞 (D) 以上皆非

34. (A) (B) (C) (D) 以上三者的混合物