阿摩線上測驗 登入

103年 - 103 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#35441

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：103年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸出電阻較小？ (A)CE 組態 (B)CB 組態 (C)CC 組態 (D)疊接（cascode）組態
2 有一 BJT 電晶體之集極電流為 4.9mA，射極電流為 5mA，求此電晶體之 β 約為多少？ (A)4.9(B)49(C)99(D)999
3 下列關於雜訊邊界的描述何者正確？ (A)絕對雜訊邊界定義為高邏輯邊界與低邏輯邊界二者中的最大者 (B)雜訊邊界愈大表示邏輯電路抗拒雜訊能力愈強 (C)雜訊邊界表示輸入訊號的最大值 (D)雜訊邊界會隨輸入電壓而改變
4 CMOS 反相器的操作電壓為 3V，輸出端等效電容為 10fF，當操作在 500MHz 時，其動態功率消耗 為多少？ (A)15 μW (B)45 μW (C)75 μW (D)135 μW
5 P 通道 MOSFET 導通時之傳導電荷載子是： (A)電子(B)多數載子為電子，少數載子為電洞 (C)電子與電洞數各一半(D)電洞
6 欲將矽質 BJT 電晶體改為齊納（Zener）二極體使用，通常應將 E、B、C 三個引線腳中之那一腳剪掉 不用？ (A)E(B)B(C)C(D)任一腳均可
7 下列何種效應對崩潰二極體所造成的崩潰電壓較大？ (A)爾利效應（Early Effect） (B)雪崩效應（Avalanche Effect） (C)米勒效應（Miller Effect） (D)齊納效應（Zener Effect）
8 在室溫下的熱電壓 VT的值約為多大： (A)25 mV (B)0.3 V (C)0.7 V (D)1 V
9 整塊 N 型半導體在熱平衡時之總電荷是呈現： (A)負電性(B)正電性 (C)電中性(D)視雜質原子之原子序而定
10 考慮一低通（low-pass）濾波器之截止帶（stopband）的傳輸不大於通帶（passband）傳輸的 1%，求 其最小所需截止帶傳輸 Amin.： (A)3 dB(B)10 dB(C)20 dB(D)40 dB
11 調諧放大器（Tuned Amplifier）是何種濾波器？ (A)高通(B)帶通(C)低通(D)帶拒
12 若一BJT 放大器之驅動電晶體，是由一共射（Common-Emitter）電晶體的集極接一共基（Common-Base）電 晶體的射極所構成，則此放大器為： (A)達林頓（Darlington）放大器(B)疊接（Cascode）放大器 (C)差動（Differential）放大器(D)運算（Operational）放大器
13 雙極性接面電晶體（BJT）中雜質摻雜濃度最高者一般為： (A)集極(B)基極(C)射極(D)閘極
14 某兩級串接放大器，各級電壓增益分別為 20 dB 和 40 dB。若第一級放大器輸入端加入峰值為 2 mV 的訊號，在不失真情況下，第二級之輸出訊號的峰值為多少？ (A)400 mV(B)800 mV(C)2 V(D)8 V
15 下列何者為帶通濾波器（Band Pass Filter）電路轉移函數（Transfer Function）的數學表示式？
16 通常半波整流電路，最少需搭配使用幾個二極體？ (A)1 個(B)2 個(C)3 個(D)4 個
17 齊納二極體（Zener Diode）主要常應用於何種電路？ (A)整流(B)穩壓(C)開關(D)放大
18 下列關於非穩態（astable）複振器的描述何者錯誤？ (A)沒有穩態的存在(B)有兩個非穩態 (C)需要訊號持續進行觸發(D)可作為方波產生器
19 MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於 1 是那種？ (A)共源極(B)共汲極 (C)共閘極(D)具有源極電阻之共源極
20 如圖所示反相放大器（Inverting Amplifier），其中電容 C 與電阻 R3為抑制運算放大器的輸入偏移電壓 （Offset Voltage，Vos）與輸入偏置電流（Input Bias Current，IB）造成輸出的偏移電壓影響，則下列何 者錯誤？ (A)低頻 3 dB 頻率為：1/2π R1C (B)R3=R1R2/（R1+R2） (C)高頻電壓增益（Vo / VIN）為：-R2/R1 (D)高頻輸入阻抗為：R1
21 如圖所示為電阻 R1、R2、R3，以及運算放大器組成的電壓放大器。R3 的作用使運算放大器的輸入 偏置電流（Input Bias Current）在輸出所產生偏移電壓（Offset Voltage）有效降低。若 R2=60 kΩ 、 R3=10 kΩ ，則 R1的電阻值為： (A) 8 kΩ (B)10 kΩ (C) 12 kΩ (D)15 kΩ
22 如圖所示，電路 U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電阻 R1=1 kΩ 、 R2=2 kΩ 。當 vI =5 V 時，輸出電壓 vo 約為多少？ (A) 4 V (B)3 V (C) 2 V (D)0 V
23 如圖電路，設二極體為理想二極體。則通過二極體之電流 I 為何？ (A) 0.1 mA (B)0.5 mA (C) 0.75 mA (D)1.25 mA
24 有關下圖電路的特性敘述，何者錯誤？ (A)這是一個半波整流電路 (B)Vo可以輸出 Vi兩倍峰值電壓 (C)是一個倍壓電路 (D)若 C1及 C2夠大，漣波電壓就會相當小
25 如圖所示之電路，其中二極體 VD,on =0.7 V，電晶體 VBE(on) =0.7 V，則 I1為多少？ (A) 0 mA (B)0.26 mA (C) 1.05 mA (D)1.25 mA
26 圖示理想二極體電路，電壓 Vo為若干？ (A) -5 V (B)-3 V (C) 0 V (D)3 V
27 如圖示之放大器，若電晶體須維持操作於飽和區，且忽略其輸出阻抗效應，下列敘述何者錯誤？ (A)增加 RG及同時減低 ID (B)增加 RS及同時減低 ID (C)減少寬長比（W/L）及同時減低 ID (D)增加 VDD及同時增加 ID
28 如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation-mode）之π 型小訊號等效電路，其中 gmro的乘積與 汲極電流 ID的關係約為： (A)gmro正比於 1/ID (B)gmro正比於 (C)gmro正比於 (D)gmro與 ID無關
29 圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1V、μnCox（W/L）= 2mA /V2，欲電晶體在飽和區工作， 電阻 RD的最大值約為若干 kΩ ？ (A) 1 (B)2 (C) 3 (D)4
30 圖示電路，若 RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ，電晶體的輸出阻抗 ro = 10 kΩ ，電壓增益 Av = vo/vi = - 4， 則 Rin約為若干？ (A) ∞ (B)10 MΩ (C) 5 MΩ (D)2 MΩ
31 如圖所示之電路，若電晶體之 rπ = 1 kΩ，CC = 1 μF，R1 = 10 kΩ，R2 >> rπ，CL= 10pF，gm = 1 mA/V， 下列敘述何者正確？ (A)低頻 -3dB 頻寬(ω L)為 1k rad/sec (B)高頻 -3dB 頻寬(ω H)為 1k rad/sec (C)高頻之單一增益頻寬（Unity-gain bandwidth）為 10M rad/sec (D)增加 CC將使放大器平坦增益（flat gain）之頻寬減少
32 分析如下圖之電路，若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA /V。元件之輸出阻抗 ro，Rb1， Rb2，C1，C2皆為無窮大，試求| Vo /Vi|： (A) 0 (B)5 (C) 10 (D)20
33 圖示為衛德勒（Wilder）電流源，此電路的特色為： (A)使用較大的電阻 RE來輸出大電流 IO (B)使用較大的電阻 RE來輸出小電流 IO (C)使用較小的電阻 RE來輸出大電流 IO (D)使用較小的電阻 RE來輸出小電流 IO
34 圖示差動放大器中，對於電阻 Re 的主要功用，下列敘述何者錯誤？ (A)降低差模電壓增益 (B)增加負回授的穩定特性 (C)降低輸出阻抗 (D)提高差模輸入電壓的線性放大範圍
35 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 1 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 100 fF， Cμ= 10 fF，忽略爾利（Early）效應與其他電容效應，採用米勒（Miller）趨近法，假使 RL值為 40 Ω ， 則其輸入電容之值為何？ (A) 39.4 fF (B)49.4 fF (C) 59.4 fF (D)69.4 fF
36 如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極性接面電晶體的π 型小訊號等效電路，若集極電流 為 IC。爾利電壓（Early voltage）為 VA，熱電壓為 VT，則下列敘述何者錯誤？ (A)gm = IC/VT (B)ro = VA/IC (C)rπ = VT/IC (D)gmrπ = β
37 下圖是雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態的小訊號電路模型，其輸出電阻 RO為何？
(A)Rc(B)ro(C)Rc//ro(D)Rc//ro//RB
38 如圖所示為一 BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（Active-mode）。 則此差動放大器的差動增益（Differential Gain） Ad=Vod/Vid 以熱電壓（Thermal Voltage）VT表示為：
39 比較器（Hysteresis Comparator VTH為何？ (A) 0.8 V (B)1 V (C) 1.25 V (D)2 V
40 如圖所示的 MOS 電晶體放大器電路中，通常以那一個電阻的電阻值會最小： (A)RG1 (B)RG2 (C)RD (D)RS

申論題 (0)