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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#35441
> 試題詳解
26 圖示理想二極體電路,電壓 Vo為若干?
(A) -5 V
(B)-3 V
(C) 0 V
(D)3 V
答案:
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統計:
A(6), B(1), C(19), D(142), E(0) #1026560
詳解 (共 2 筆)
sv(邀請碼232196)
B3 · 2017/05/09
#2179298
D1先ON => Vo= [ (-...
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leochan87
B1 · 2016/12/15
#1550961
這一題用看的:D1→ON,D2→OFF,...
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2
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/17
私人筆記#7645527
未解鎖
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其他試題
22 如圖所示,電路 U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電阻 R1=1 kΩ 、 R2=2 kΩ 。當 vI =5 V 時,輸出電壓 vo 約為多少? (A) 4 V (B)3 V (C) 2 V (D)0 V
#1026556
23 如圖電路,設二極體為理想二極體。則通過二極體之電流 I 為何? (A) 0.1 mA (B)0.5 mA (C) 0.75 mA (D)1.25 mA
#1026557
24 有關下圖電路的特性敘述,何者錯誤? (A)這是一個半波整流電路 (B)Vo可以輸出 Vi兩倍峰值電壓 (C)是一個倍壓電路 (D)若 C1及 C2夠大,漣波電壓就會相當小
#1026558
25 如圖所示之電路,其中二極體 VD,on =0.7 V,電晶體 VBE(on) =0.7 V,則 I1為多少? (A) 0 mA (B)0.26 mA (C) 1.05 mA (D)1.25 mA
#1026559
27 如圖示之放大器,若電晶體須維持操作於飽和區,且忽略其輸出阻抗效應,下列敘述何者錯誤? (A)增加 RG及同時減低 ID (B)增加 RS及同時減低 ID (C)減少寬長比(W/L)及同時減低 ID (D)增加 VDD及同時增加 ID
#1026561
28 如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation-mode)之π 型小訊號等效電路,其中 gmro的乘積與 汲極電流 ID的關係約為: (A)gmro正比於 1/ID (B)gmro正比於 (C)gmro正比於 (D)gmro與 ID無關
#1026562
29 圖示 MOS 場效電晶體電路,電晶體之 Vt = 1V、μnCox(W/L)= 2mA /V2,欲電晶體在飽和區工作, 電阻 RD的最大值約為若干 kΩ ? (A) 1 (B)2 (C) 3 (D)4
#1026563
30 圖示電路,若 RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ,電晶體的輸出阻抗 ro = 10 kΩ ,電壓增益 Av = vo/vi = - 4, 則 Rin約為若干? (A) ∞ (B)10 MΩ (C) 5 MΩ (D)2 MΩ
#1026564
31 如圖所示之電路,若電晶體之 rπ = 1 kΩ,CC = 1 μF,R1 = 10 kΩ,R2 >> rπ,CL= 10pF,gm = 1 mA/V, 下列敘述何者正確? (A)低頻 -3dB 頻寬(ω L)為 1k rad/sec (B)高頻 -3dB 頻寬(ω H)為 1k rad/sec (C)高頻之單一增益頻寬(Unity-gain bandwidth)為 10M rad/sec (D)增加 CC將使放大器平坦增益(flat gain)之頻寬減少
#1026565
32 分析如下圖之電路,若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA /V。元件之輸出阻抗 ro,Rb1, Rb2,C1,C2皆為無窮大,試求| Vo /Vi|: (A) 0 (B)5 (C) 10 (D)20
#1026566