29 圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1V、μnCox（W/L）= 2mA /V2，欲電晶體在飽和區工作， 電阻 RD的最大值約為若干 kΩ ？ 
(A) 1
(B)2
(C) 3
(D)4

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統計： A(7), B(18), C(48), D(14), E(0) #1026563

詳解 (共 7 筆)

#1313459
php1KTCl5
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#1385421
沒錯阿Id 代1mA的話Vgs會大於Vt阿
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#1385425
你是不是看錯@@
倒數第三行是Vgd<=Vt
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#1385518
恩... 抱歉 我剛剛便看這題 邊看別提 混淆了
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#1385377
飽和區 不是應該VGS要大於VT嗎    
如果 ID等於1m vg-vs > vt  是不是文字寫錯了@@
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#1381594
後面三行的Id改成Rd 
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#1301749
求解
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7645611
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