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初等/五等/佐級◆電子學大意
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106年 - 106 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#62347
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重新載圖
2 如圖所示之電路,OP AMP 為理想。求 v
o
/ v
i
:
(A)-1/4
(B)-1/3
(C) -1
(D) -3
答案:
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統計:
A(12), B(211), C(15), D(34), E(0) #1607641
詳解 (共 2 筆)
中華電已上榜
B2 · 2017/06/25
#2293072
Vi*(-3)+[Vi*2/3](1+3...
(共 43 字,隱藏中)
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16
0
declin7912(鐵特上榜)
B1 · 2017/06/24
#2291062
答案選項有錯誤B應為-1/3才對
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4
1
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/26
私人筆記#7591022
未解鎖
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其他試題
38 一部三相、四極、60 Hz 之感應電動機,原運轉於 1730 rpm,若以外力使其加速運轉至 1860 rpm,此電動 機之運轉模式為何? (A)運轉於發電機區 (B)運轉於電動機區 (C)運轉於拴鎖煞車區 (D)轉差率為 1
#1607637
39 雙電容單相感應電動機之電路如下圖所示,如果要讓電動機逆轉,可用下列何者方式? (A)將電容器 C1及 C2對調 (B)將開關 SW 開啟 (C)將主繞組及輔助繞組同時反接 (D)僅將輔助繞組反接
#1607638
40 實施三相感應電動機的空轉試驗時,轉差率為: (A)介於 1 與 2 之間 (B)負值 (C)接近零 (D) 1
#1607639
1 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者? (A)N-channel MOSFET(N 通道金氧半場效電晶體) (B)P-channel MOSFET(P 通道金氧半場效電晶體) (C)CMOSFET(互補式金氧半場效電晶體) (D)FIN FET(鰭式場效電晶體).
#1607640
3 CMOS 場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的? (A)PN 接合型場效電晶體 (B)MOS 空乏型場效電晶體 (C) MOS 增強型場效電晶體 (D)各型場效電晶體都可以
#1607642
4 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益,應選擇下列那一種放大器組態? (A)共閘極組態 (B)共源極組態 (C)共汲極組態 (D)都可以
#1607643
5 一個正脈波(窄幅波)中,高、低電位各為 6 伏特與 1 伏特,對應之工作週期分別為 20% 與 80%。 問此正脈波的平均電壓為多少? (A)1 伏特 (B)2 伏特 (C) 5 伏特 (D) 6 伏特
#1607644
6 有一 JFET,其 IDSS = 12 mA,VGS(off)= - 4 V,則在偏壓點 VGS= - 1.5 V 時,此 JFET 的 gm值為何? (A)7.5 毫姆歐 (B)7.5 毫歐姆 (C) 3.75 毫姆歐 (D) 3.75 毫歐姆
#1607645
7 如圖所示為雙極性電晶體 Q 接成共射極組態,若逆向飽和電流為 ICBO且電流增益為 β,試問電晶體 Q 的截止條件為何? (A)iB = 0,iC = 0,iE = -ICBO (B)iE = 0,iC = ICBO,iB = -ICBO (C) iB = 0,iC =βICBO,iE = -(1+β)ICBO(D) iB = -ICBO,iC = ICBO,iE = (1+β)ICBO
#1607646
8 有一共汲極放大器(common-drain amplifier),其增益為 A = 0.9,且 Cgs = 50 fF,Cgd = 10 fF,則其 輸入電容(input capacitance)應為多少 fF? (A)510(B)90 (C) 45 (D) 15
#1607647