7 在矽晶接面二極體中，若增加 p 型區和 n 型區的摻雜濃度，下面那一項物理量會隨之上升？
(A)空乏區厚度
(B)內建電壓（Built-in potential）
(C)導通時的微分電阻
(D)崩潰電壓

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統計： A(11), B(19), C(6), D(2), E(0) #1210759

詳解 (共 2 筆)

#1492026

V =   VT ln NA * ND/ ni2


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#1374653
請問內建電壓是什麼意思？
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