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試題詳解

試卷：112年 - 112 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組：電子學大意#114944 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：112年 - 112 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組：電子學大意#114944

年份：112年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

8下列有關「絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）」之特性敘述何者錯誤？
(A)具有雙極性接面電晶體（BJT）的輸出特性
(B)與金氧半場效電晶體（MOSFET）相同，為電壓控制電流源元件
(C)其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極
(D)相較於雙極性接面電晶體（BJT）而言，其切換速度較慢
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7469183
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