9當增強型 N 通道 MOSFET 的汲極和源極間的通道呈線性電阻特性，下列何者錯誤？
(A) VGS 值大於臨界電壓值 VTH
(B) VGD 值大於臨界電壓值 VTH
(C)通道載子濃度受 VGS 值影響
(D)汲極和源極間等效電阻值 RDS 和閘極電壓值 VGS 成正比

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統計： A(1), B(9), C(5), D(19), E(0) #3118387

詳解 (共 2 筆)

#5869650

當增強型 N 通道 MOSFET 的汲極和源極間的通道呈現線性電阻特性時，它被認為處於"線性區"或"歐姆區"。在這個區域中，以下幾點是需要注意的：

閘極-源極電壓 VGS 必須大於臨界電壓 VTH，才能使得 MOSFET 導通，形成通道。

當 VGS > VTH，且 VDS（汲極-源極電壓）小於（VGS - VTH）時， MOSFET 會處於線性區。

在線性區中，MOSFET 的汲極電流 ID 與 VDS 是近似線性關係，可以視為一個可變的電阻。換句話說，電流會隨著 VDS 的增加而增加。

在線性區，汲極和源極間等效電阻值 RDS 和閘極電壓值 VGS 成反比。當 VGS 增加時，RDS 會減小，反之亦然。

通道載子濃度的確受 VGS 值影響，VGS 值越高，通道載子濃度越大，因此電導率越高。

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#5860234
汲源電阻RDS（汲極和源極間的等效電阻值）並不直接與閘極電壓值VGS成正比，實際上，隨著VGS的增大，RDS將會降低，因此它們的關係是反比的。
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7469219
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