1 某FET 工作在飽和區(Saturation Region),其|iD|-vGS 關係如圖所示,|iD|是汲極電流之大小,則此 FET 為:
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS
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統計: A(8), B(40), C(13), D(90), E(0) #2128706
統計: A(8), B(40), C(13), D(90), E(0) #2128706