1 圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路,若電晶體工作在飽和區(saturation region), 下列有關電壓 VD之敘述,何者正確?
5ffbb27d346b7.jpg
(A) VD之最大值為 1 V
(B) VD之最小值為 1 V
(C) VD之最大值為 2 V
(D) VD之最小值為 2 V

答案:登入後查看
統計: A(8), B(10), C(25), D(115), E(0) #2592560

詳解 (共 1 筆)

#4487216
FET在飽和區的條件是V_GS - V_...
(共 58 字,隱藏中)
前往觀看
2
0

私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#5706339
未解鎖
初等/五等/佐級◆電子學大意&nb...

(共 226 字,隱藏中)
前往觀看
2
0