110年 - 110 初等考試_電子工程：電子學大意#95394

1 圖示為某 V_t = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region）， 下列有關電壓 V_D之敘述，何者正確？
(A) V_D之最大值為 1 V (B) V_D之最小值為 1 V (C) V_D之最大值為 2 V (D) V_D之最小值為 2 V

2 如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求：
(A) -1 (B) -k (C) -(1+k) (D) -(1+1/k)

3 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻 R =？
(A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 15 kΩ (D) 20 kΩ

4 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形 v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特（V）？
(A) 6.36 V (B) 7.07 V (C) 3.18 V (D) 5.00 V

5 有一 p 通道接面場效電晶體的 ，則當時，此電晶體的 I_D為多 少？ (A)無限大 (B) 9 mA (C) 6 mA (D) 0 A

6 在共源極（common source）放大器中，若 FET 的未達臨界電壓，則汲極端的電壓為： (A) 0 V (B) (C)∞ (D) 

8 如圖電路中，將訊號源連接在輸入端 V₁和 V₂之間，所看到的輸入電阻為 ；將訊號源同時連接在 輸入端 V₁和 V₂上，所看到的輸入電阻為 ，其值分別為何？
(A) =2kΩ、=2kΩ (B) =2kΩ、=4kΩ (C) =4kΩ、=2kΩ (D) =4kΩ、=4kΩ

10 如圖所示之電路，假如 A_o =∞，求此電路之閉迴路增益為何？
  (A) 12 (B) 15 (C) 19 (D) 21

11 圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12V，輸入電壓 v_I 為 -2V，則 v_O為若干？
(A)-12 V (B) 0 V (C)-2 V (D)+12 V

13 如圖示截波電路，其中輸入信號 v_i(t) 為振幅 12 伏特的弦波且 D 為理想二極體，如果要得到峰對峰 電壓值為 16 伏特的輸出信號，則偏壓電源 V_R應為多少？
(A)-4 V (B) 0 V (C) 4 V (D) 8 V

15 如圖所示之電路，二極體為理想，若為一 DC 值為零且振幅為 5V 的正弦波，求最高及最低的 為何？
  (A)+2V 及 -8V (B)+0V 及 -10V (C)-2V 及 -12V (D)+2V 及 -10V vi(t) 

17 下圖電路中輸入信號為弦波 v_i(t)=0.5 sin 10t 伏特，二極體 D1 與 D2 之導通電壓皆為 0.7 V，導通 電阻為 100 Ω。則電壓 vo (t)最大值為多少伏特？
(A) 0.7 (B) 0.5 (C) 0.2 (D) 0

18 圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7V，導通電阻為 0 Ω，電容 C 兩端之初始電壓為 0V，下列何者正確？ (A) 之最低電壓為 -0.7 V (B) D1 在穩態時恆導通 (C) 之最高電壓為 10 V (D) vC 之穩態電壓為 9.3 V

19 如圖所示之電路，為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓 之波形最有可能為下列 何者？(A) (B) (C) (D)

20 圖示電路中 v_I為輸入電壓 v_o為輸出電壓，本電路為何種電路？
(A)倍壓電路 (B)濾波電路 (C)截波電路 (D)箝位電路

21 圖示理想二極體電路中，若輸入 v_I為峰對峰值 10 V 的方波，在穩態時下列有關輸出 v_O的敘述，何項 正確？ (A) v_O的最小值為 0 V (B) v_O的最小值為 +5 V (C) v_O的最大值為 +10 V (D) v_O的最大值為 +20 V

22 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 =0.7 V，已知電壓 v_s(t)=12 sin(120πt) V、R=2 kΩ。試 問輸出電壓 v_O的波形為何？(A) (B) (C) (D)

24 如圖所示，射極電阻 R_E常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？
(A)提高增益 (B)降低雜訊 (C)改變相位 (D)穩定偏壓

26 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為，R₁=1.5 kΩ、R₂=50 kΩ， 該放大電路的輸入直流電流 約為多少？
(A) 0.02 mA (B) 0.06 mA (C) 0.08 mA (D) 0.1 mA

27 藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（β=49），流進基極端的電流為 I = 0.025 mA 時測得輸出交流弦 波信號振幅為 0.5 V，則輸入信號的振幅約為多少？ 其中熱電壓近似為 25 mV。

(A) 2 mV (B) 2.5 mV (C) 4 mV (D) 5 mV

28 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為 0.6 V，β 及 R₁、R₂ 均變成原來的 1.5 倍， 電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
(A) 0.4 V (B) 0.6 V (C) 0.9 V (D) 1.35 V

29 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β =50，爾利電壓（Early voltage, V_A）= 10 V， gm = 10 mA/V，熱電壓（thermal voltage）= 25 mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
(A) r_π＜1/g_m (B) r_o ＞r_π (C) r_o與操作電流成正比 (D) g_m與操作電流成反比 

30 圖示電晶體在主動區工作，電晶體的 β＝99，＝0.7 V，則電晶體的集極電壓 VC約為：
(A) 8 V (B) 6 V (C) 4 V (D) 2 V

32 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 g_m，輸出電阻為 r_o→∞， 則此放大器的電壓增益為何？
(A)-g_m(R_D+R_S) (B)-g_mR_D/(1+ g_mR_S) (C)-R_D/R_S (D)-g_mR_D

33 如圖所示為以電阻 R=5 kΩ、R_f =7.5 kΩ 及電感 L₁ =2 mH、L₂ 所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪 電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率 ω 約為多少 rad/s？
(A) 3.5M rad/s (B) 1M rad/s (C) 700k rad/s (D) 500k rad/s

34 直接耦合串級放大電路於未耦合前第 1 級放大電路的集極偏壓電流為 1 毫安培（1 mA），如圖決定 耦合後第 2 級放大電路的電壓增益大小（的大小）？其中 Q₂之 β₂=99 及 =0.8 V，熱電壓 V_T =25 mV。
(A) 50 (B) 100 (C) 150 (D) 250

35 如圖為一方波振盪器。若 OP AMP 輸出的上下限為±10 V。R₂ = R₃、R₁C₁= 10 ms。求方波的週期？
(A) 10 ms (B) 11 ms (C) 20 ms (D) 22 ms

36 有 N 級放大器，其中每一級的增益 都完全相同，若該Ｎ級放大器串接在一起且Ｎ為 有限值；試問其總頻寬 ω_H相較於單一級放大器的頻寬 ，下列敘述何者正確？ (A) ω_H ＝  (B) ω_H ＞ (C) ω_H ＜  (D) ω_H ＝ () ^N

37 如圖雙穩態電路，其 R₁ = 10 kΩ 且 R₂ = 16 kΩ，若在 t = 0 時輸出電壓 V_o飽和在-13 V；當在 t ＞ 0 時， 輸入電壓 v_I ＜ -5V，輸出電壓 Vo會在什麼狀態？
(A) 0 V (B)-13 V (C)+13 V (D)±13 V 變化

38 圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益 A = 4，MOSFET 之轉導 g_m = 66.67 μA/V， 電容 C = 4.59 nF，則電路之振盪頻率約為多少？
(A) 1 kHz (B) 2 kHz (C) 3 kHz (D) 4 kHz

39 如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2 和 CS，MOSFET 的寄生電容約為 Cgs 和 Cgd。有關此放大 器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？
  (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)主要受其他電容影響，但受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度不大