1 一個 N 通道 MOSFET 元件，其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成？
(A) N-井區
(B) P-井區
(C) N+區
(D) P+區

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統計： A(12), B(7), C(79), D(13), E(0) #2779912

詳解 (共 5 筆)

#5186530
通道形成為Gate的垂直電場導致空乏，並...
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#5191256

??? 不太理解，參雜是將原子替換 N型(Negedge type)只是將 5A族元素替代矽，因為會與周圍矽形成四個共價(外圍電子8個放滿)，所以未導通時原先外圍的一顆電子會直接放出形成電中性，但其在導通時會希望從旁抓電子形成原子狀態，所以參雜越多會容易從電源處抓載子，也就是越接近金屬狀態，越低則反，後面的正負只代表參雜物數量多寡而已(N+、N、N-/P+、P、P-)，和參雜3A或5A無關。

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#5188629

請問樓上的大大，N-井區和N+區有什麼差別，為何不能選A呢？

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#5189671

就我理解，井區正負代表參雜濃度，參雜少代表阻抗大，高則阻抗小，如果是A那代表source井區不容易導通，那就不太OK，就和BJT會希望射極E端不要有太多阻力將他濃度拉高一樣意思。

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#5190790

感謝您上方的回答，但是n型不是帶負電的嗎？(多數載子是自由電子)，所以自由電子越多不是才是參雜越多嗎？為何反而是N+是參雜越多呢？

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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7556822
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