110年 - 110 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組：電子學大意#101588

2 某增強型 NMOS 場效電晶體的，今若其源極（Source）電壓 0.5 V， 閘極（Gate）電壓 2.5 V，汲極（Drain）電壓 1.0 V，則此電晶體工作在那一區？ (A)飽和區（Saturation Region） (B)截止區（Cutoff Region） (C)三極體區（Triode Region） (D)主動區（Active Region）

3 有一積體電路晶片的腳位布局圖（pin layout）如下所示，請問第 10 隻腳為下列何者？
(A) OUT1 (B) IN2B (C) IN3A (D) IN4B

4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若 齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻最少應為多少？(A) 0.5 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.5 kΩ (D) 34 kΩ

5 如圖所示之理想放大器電路，求 。
(A)0 (B)-5 (C)-6 (D)5

6 如圖所示為雙極性電晶體 Q 接成共射極組態，已知電晶體之電流增益為 β 且集-基極接面的逆向飽和 電流為 ，若 = 0 且 > 0 時，則電晶體 Q 的 = ？
(A) (B) (C) (D)

7 設圖中所示電晶體的射極電壓為 1 V，又設∣∣= 0.7 V，則其 α 為？
(A) 1.52 (B) 0.98 (C) 0.54 (D) 0.11

8 圖為理想運算放大器電路，其電壓增益為多少？
(A)8 (B) 11 (C) 15 (D) 18

10 一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 = 0.5 V。當輸入端電壓 = 1.5 V 時之汲極飽和電流 = 1 mA， 則當 增為 2.5 V 時其汲極飽和電流 約為多大？ (A) 1 mA (B) 2 mA (C) 3 mA (D) 4 mA

12 有一放大器電路如圖所示，放大器 U₁ 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間， 二極體 D₁ 順向電壓 ＝ 0.7 V。電阻 R1 ＝1 kΩ，V₁ 為交流電源，若欲使節點 A 為正時二極體 D1 導通，為負時二極體 D₁ 不導通，試問放大器 U1 的端點 1 應為正輸入或負輸入？
(A)正輸入 (B)負輸入 (C)正輸入或負輸入均可 (D)無法判斷

13 變壓器型半波整流電路及中間抽頭變壓器型全波整流電路，當輸入不同弦波信號時，測得兩種電路中 二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）剛好均相同時，設半波及全波之輸出信號峰值電壓為及 之比值為何？ (A) 0.5 (B)1 (C)2 (D)4

14 圖示截波電路（D 為理想二極體）及其輸入信號 vi(t) = 10sin(ωt)伏特，已知輸出信號 vo 的峰對峰電壓 值為 4 伏特，則偏壓電源 應該是多少伏特？
(A)6V (B)4V (C)-4 V (D)-6 V

16 圖示為部分的電晶體共射極放大電路，與電容器 C 有關功能的敘述，下列何者正確？
(A)用於隔離直流信號但耦接交流信號 (B)用於同時耦接直流、交流信號 (C)用於耦接直流信號但隔離交流信號 (D)用於同時隔離直流、交流信號

17 圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為 0，電容 C₁ 與 C₂ 之初始電壓皆為 0 V，vi(t) = 10sin(10t)伏特， 於穩態時，下列敘述何者正確？
(A) vo(t)=5sin(10t)伏特 (B) vo(t)=10sin(10t)伏特 (C) vo(t)=20sin(10t)伏特 (D) vo(t)=20 伏特

18 如圖所示之電路，假設二極體皆為理想，，則其輸出電壓 之波形最有可能為下列何者？
(A) (B) (C) (D)

19 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 =0.7 V。已知電壓 =12sin(120πt) V、R=2 kΩ，試求每一顆二極體峰值反向電壓約為多少？
(A) 12 V (B) 11.3 V (C) 10.6 V (D) 9.2 V

20 如圖所示電路，U₁ 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 =0.7 V，已知電阻 R₁=1 kΩ、R₂=2 kΩ、 R₃=1 kΩ、= -5 V。當 = 3 V 時，對於節點 B 的電壓 ，下列敘述何者正確？
(A) (B) (C) (D)

21 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 =0.7 V。已知電壓 =12sin(120πt) V，在穩態時輸出電壓 的電壓值約為多少？
(A)-22.6 V (B)-10.6 V (C) 10.6 V (D) 22.6 V

22 如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大負值為何？
(A)-2 V (B)-4 V (C)-6 V (D)-8 V

23 若只需考慮負載電阻與負載電容，如圖所示之放大器的頻寬約為何？
(A) 1.6 MHz (B) 16 MHz (C) 160 MHz (D) 1600 MHz

26 圖中電晶體 M1 之 （W/L）= 1 mA/V² ，臨界電壓 = 0.8 V，若忽略通道調變效應， =1 V， =？
(A) 4.8 V (B) 4.6 V (C)3V (D) 1.8 V

27 如圖所示為一共射極放大電路及其電晶體的部分輸出特性，基-射極接面（BEJ）於導通時因壓降變化 不大而視為常數 = 0.7 V， = 40 kΩ 時，欲得到 6 V 的輸出直流工作點，約多少？
(A) 1.5 kΩ (B) 2 kΩ (C) 2.4 kΩ (D) 3.2 kΩ

28 圖中所示的增強型 MOSFET 具有特性參數包括：臨界電壓 = 1 V、（W/L）= 1 mA/V²，如果 MOSFET 的輸入直流電壓 需被設計為 3 V 時，則圖中標示的電阻 R 值應約多少？
(A) 0.5 kΩ (B) 1 kΩ (C) 2 kΩ (D) 3 kΩ

29 電晶體放大電路藉由如圖所示的分壓偏壓電路，使得該電晶體的輸出直流電壓工作在V_ECQ=6 V，射-基極的導通定電壓固定為 0.8 V，求電阻 R 約為多少？
(A) 0.8 kΩ (B) 1.2 kΩ (C) 1.6 kΩ (D) 2.4 kΩ

30 如圖電路若電晶體操作於飽和區，下列何種方式可使電晶體進入主動區？
(A)減低 (B)提高 (C)增加 (D)減低

31 如圖電路，設電晶體之 β = 100， ＝50 kΩ，I＝1 mA， ＝3 V。若要使電晶體維持工作在 主動模式（Active-mode）而不進入飽和模式（Saturation-mode） ，則 可容許之最大值約為：
(A) 0.5 kΩ (B) 2 kΩ (C) 4 kΩ (D) 5.5 kΩ

33 在某個瞬間測得流過如圖所示波形產生電路中電容器 C = 0.2 μF 的電流 i(t)=2 mA，決定輸出 vO 的頻 率約為多少 Hz？其中兩個理想放大器的直流電源電壓值均為±10 伏特。
(A) 500 Hz (B) 1 kHz (C) 10 kHz (D) 50 kHz

35 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10 V，R₁ = 10 kΩ、R₂ = 30 kΩ， 輸出電壓 原為+10 V，輸入電壓 為下列何電位時，輸出 將為-10 V？
(A)-3 V (B)-2 V (C)2V (D)4V

36 如圖電路，已知輸出 vo 的飽和電壓在±10 V，其 R₁ = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ 且 C = 0.01 μF；若在電 容器 C 旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為 0.7 V，則輸出電壓 vo 會在什麼狀態？
(A)保持在±10 V 變化 (B)保持在-10 V (C)保持在+10 V (D)保持在 0 V

38 如圖電路，若輸入 vi(t)為三角波電壓，則輸出 vo(t)是什麼波形？
(A)正弦波 (B)三角波 (C)脈波 (D)方波

39 有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s) = ，其中，在製作|F(s)|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率 f = 3 kHz 時的線段斜率，下列何者正確？ (A)大於+10 dB/decade (B)落在-10 dB/decade 至+10 dB/decade 之間 (C)落在-30 dB/decade 至-10 dB/decade 之間 (D)小於-30 dB/decade

40 如圖由理想運算放大器所組成之哈特萊振盪器，其振盪頻率為何？
(A) (B) (C) (D)