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初等/五等/佐級◆電子學大意
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110年 - 110 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組:電子學大意#101588
> 試題詳解
25 下列 MOSFET 放大器的組態中,何者所需的電源電壓最大?
(A)共源極(CS)組態
(B)共閘極(CG)組態
(C)共汲極(CD)組態
(D)疊接(cascode)組態
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統計:
A(7), B(8), C(11), D(82), E(0) #2779936
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/13
私人筆記#7558397
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1 一個 N 通道 MOSFET 元件,其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成? (A) N-井區 (B) P-井區 (C) N+區 (D) P+區
#2779912
2 某增強型 NMOS 場效電晶體的,今若其源極(Source)電壓 0.5 V, 閘極(Gate)電壓 2.5 V,汲極(Drain)電壓 1.0 V,則此電晶體工作在那一區? (A)飽和區(Saturation Region) (B)截止區(Cutoff Region) (C)三極體區(Triode Region) (D)主動區(Active Region)
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3 有一積體電路晶片的腳位布局圖(pin layout)如下所示,請問第 10 隻腳為下列何者? (A) OUT1 (B) IN2B (C) IN3A (D) IN4B
#2779914
4 如圖為一齊納二極體電路,此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若 齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略,問負載電阻最少應為多少?(A) 0.5 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.5 kΩ (D) 34 kΩ
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5 如圖所示之理想放大器電路,求 。 (A)0 (B)-5 (C)-6 (D)5
#2779916
6 如圖所示為雙極性電晶體 Q 接成共射極組態,已知電晶體之電流增益為 β 且集-基極接面的逆向飽和 電流為 ,若 = 0 且 > 0 時,則電晶體 Q 的 = ? (A) (B) (C) (D)
#2779917
7 設圖中所示電晶體的射極電壓為 1 V,又設∣∣= 0.7 V,則其 α 為? (A) 1.52 (B) 0.98 (C) 0.54 (D) 0.11
#2779918
8 圖為理想運算放大器電路,其電壓增益為多少? (A)8 (B) 11 (C) 15 (D) 18
#2779919
9 下列何者屬於理想運算放大器的特性? (A)交流耦合 (B)有限頻寬 (C)開路增益無窮大 (D)輸出阻抗無窮大
#2779920
10 一個 NMOS 電晶體,其臨界電壓 = 0.5 V。當輸入端電壓 = 1.5 V 時之汲極飽和電流 = 1 mA, 則當 增為 2.5 V 時其汲極飽和電流 約為多大? (A) 1 mA (B) 2 mA (C) 3 mA (D) 4 mA
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